针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质制造方法及图纸

本申请提供一种针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质，涉及半导体制程领域。本申请通过获取探针在不同按压高度下针对待测晶圆中多个元件单元通过第一测试键及第二测试键分别量测得到的第一电阻量测值和第二电阻量测值，并针对每个元件单元，根据该元件单元在不同按压高度下的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值，进而根据该探针在不同按压高度下与多个元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定出与待测晶圆真实适配的目标探测高度，并以该目标探测高度所对应的针压大小，作为该待测晶圆所适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压，从而确保待测晶圆的量测精准度。

【技术实现步骤摘要】
针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质
本申请涉及半导体制程领域，具体而言，涉及一种针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质。
技术介绍
在半导体器件制程过程中，通常需要在晶圆加工完成后对其进行晶圆针测，从而及早的将良品与不合格品分辨出来以便于后续的制程处理。而晶圆针测操作则通常需要利用针测设备上的探针与待测晶圆的切割道上配置的测试键连接，来对待测晶圆的电气特性进行量测。而在晶圆针测过程中，探针会因施加在测试键上的针压大小而在测试键上造成大小不一的刻痕，针压越大则形成的刻痕尺寸越大，而探针的针压过大或过小往往都会影响量测结果。因此，目前多使用人工利用显微镜观测的刻痕尺寸的方式判断针压大小，并通过调整探针的高度来调整针压。但需要注意的是，这种针压调节方式通常会因针痕清晰状况以及测试键材质问题，出现误判针压的现象，无法精准调节出与待测晶圆真实适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质，能够为待测晶圆确定出真实适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压，以确保待测晶圆的量测精准度。为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：第一方面，本申请实施例提供一种针压适配方法，所述方法包括：获取探针在不同按压高度下于待测晶圆中多个元件单元各自的第一测试键处量测得到的第一电阻量测值，以及所述探针在不同按压高度下于多个所述元件单元各自的第二测试键处量测得到的第二电阻量测值；针对每个所述元件单元，根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值；根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度；将所述探针在所述目标探测高度下对应的针压大小，作为所述待测晶圆所适配的量测针压。在可选的实施方式中，所述根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值，包括：针对每个元件单元，查找与该元件单元对应的第一电阻量测值、第二电阻量测值、第一测试键尺寸、第二测试键尺寸及接触电阻值之间的预设关联关系；针对每个按压高度，将该元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值代入所述预设关联关系，计算得到所述探针在该按压高度下于该元件单元处的接触电阻值。在可选的实施方式中，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；将与计算出的最小接触电阻中位数对应的按压高度，作为所述目标探测高度。在可选的实施方式中，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；对所述探针在该按压高度下的接触电阻中位数以及所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行标准差运算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻标准差；将与计算出的最小接触电阻标准差对应的按压高度，作为所述目标探测高度。在可选的实施方式中，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；根据多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算所述探针在该按压高度下对应的高度校准值，其中每个所述元件单元的第一测试键的电阻值小于该元件单元的第二测试键的电阻值；将与计算出的最小接触电阻中位数对应的按压高度作为第一探测高度，并将与计算出的最小高度校准值对应的按压高度作为第二探测高度；对所述第一探测高度与所述第二探测高度进行均值运算，得到所述目标探测高度。在可选的实施方式中，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；对所述探针在该按压高度下的接触电阻中位数以及所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行标准差运算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻标准差；根据多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算所述探针在该按压高度下对应的高度校准值，其中每个所述元件单元的第一测试键的电阻值小于该元件单元的第二测试键的电阻值；将与计算出的最小接触电阻标准差对应的按压高度作为第一探测高度，并将与计算出的最小高度校准值对应的按压高度作为第二探测高度；对所述第一探测高度与所述第二探测高度进行均值运算，得到所述目标探测高度。在可选的实施方式中，所述根据多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算所述探针在该按压高度下对应的高度校准值，包括：对多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行均值计算，得到所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数；将计算出的所述第一电阻量测中位数，作为所述探针在该按压高度下对应的高度校准值；或者对多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行均值计算，得到所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数；对所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数以及多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行标准差运算，得到所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测标准差；将计算出的所述第一电阻量测标准差，作为所述探针在该按压高度下对应的高度校准值。第二方面，本申请实施例提供一种针压适配装置，所述装置包括：量测数据获取模块，用于获取探针在不同按压高度下于待测晶圆中多个元件单元各自的第一测试键处量测得到的第一电阻量测值，以及所述探针在不同按压高度下于多个所述元件单元各自的第二测试键处量测得到的第二电阻量测值；接触电阻计算模块，用于针对每个所述元件单元，根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值；探测高度确定模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种针压适配方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取探针在不同按压高度下于待测晶圆中多个元件单元各自的第一测试键处量测得到的第一电阻量测值，以及所述探针在不同按压高度下于多个所述元件单元各自的第二测试键处量测得到的第二电阻量测值；/n针对每个所述元件单元，根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值；/n根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度；/n将所述探针在所述目标探测高度下对应的针压大小，作为所述待测晶圆所适配的量测针压。/n

【技术特征摘要】
1.一种针压适配方法，其特征在于，所述方法包括：
获取探针在不同按压高度下于待测晶圆中多个元件单元各自的第一测试键处量测得到的第一电阻量测值，以及所述探针在不同按压高度下于多个所述元件单元各自的第二测试键处量测得到的第二电阻量测值；
针对每个所述元件单元，根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值；
根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度；
将所述探针在所述目标探测高度下对应的针压大小，作为所述待测晶圆所适配的量测针压。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值，包括：
针对每个元件单元，查找与该元件单元对应的第一电阻量测值、第二电阻量测值、第一测试键尺寸、第二测试键尺寸及接触电阻值之间的预设关联关系；
针对每个按压高度，将该元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值代入所述预设关联关系，计算得到所述探针在该按压高度下于该元件单元处的接触电阻值。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：
针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；
将与计算出的最小接触电阻中位数对应的按压高度，作为所述目标探测高度。


4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：
针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；
对所述探针在该按压高度下的接触电阻中位数以及所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行标准差运算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻标准差；
将与计算出的最小接触电阻标准差对应的按压高度，作为所述目标探测高度。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：
针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；
根据多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算所述探针在该按压高度下对应的高度校准值，其中每个所述元件单元的第一测试键的电阻值小于该元件单元的第二测试键的电阻值；
将与计算出的最小接触电阻中位数对应的按压高度作为第一探测高度，并将与计算出的最小高度校准值对应的按压高度作为第二探测高度；
对所述第一探测高度与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王群雄，叶俊麟，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37