电子束正胶的曝光方法技术

本发明专利技术涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种电子束正胶的曝光方法，包括以下步骤：提供器件版图；根据刻蚀工艺的具体需求，选择电子束正胶的厚度；将所述器件版图的设计尺寸缩小以作为实验尺寸；根据所述实验尺寸以及选择的电子束正胶的厚度进行电子束曝光实验，调整曝光剂量来使光刻胶完全感光，以使所述实验尺寸曝光至所述设计尺寸，得到曝光剂量‑各设计尺寸的对应关系；根据曝光剂量‑设计尺寸的对应关系，根据待曝光的晶圆的设计尺寸施加对应的曝光剂量。

【技术实现步骤摘要】
电子束正胶的曝光方法
本专利技术涉及光刻工艺
，具体涉及一种电子束正胶的曝光方法。
技术介绍
电子束直写光刻具有分辨率高、不需要光刻版等优点。使用电子束直写工艺可以得到光学光刻很难实现的小尺寸图形，而且电子束曝光不需要光刻版，可以直接通过图形软件，将器件版图直接导入，并按照器件版图来曝光。电子束正胶是在曝光孔图形以及槽式图形必须使用的光刻胶，其曝光部分会被显影液显影掉。由于电子束曝光效率很低，曝光面积越大，所需要的时间也就越多，因此，当需要制作孔或者槽时，就必须使用正胶来作为图形掩蔽层。随着电子束图形尺寸的减小，需要使用较薄的光刻胶才能使图形尺寸做到很小。但由于电子束正胶同时需要当做刻蚀的阻挡层，胶厚需要达到一定厚度才能使用。如图1所示，当胶厚较大时，曝光存在的问题是当曝光剂量较小时无法使光刻胶200完全感光，如图2所示，当曝光剂量太大时图形尺寸会变大，可能无法找到合适条件来做出与设计尺寸相同的图形。
技术实现思路
为克服上述技术问题，本专利技术提出一种电子束正胶的曝光方法，使得设计尺寸缩小的情况下，光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子束正胶的曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供器件版图；/n根据刻蚀工艺的具体需求，选择电子束正胶的厚度；/n将所述器件版图的设计尺寸缩小以作为实验尺寸；/n根据所述实验尺寸以及选择的电子束正胶的厚度进行电子束曝光实验，调整曝光剂量来使光刻胶完全感光，以使所述实验尺寸曝光至所述设计尺寸，得到曝光剂量-各设计尺寸的对应关系；/n根据曝光剂量-各设计尺寸的对应关系，根据待曝光的晶圆的设计尺寸施加对应的曝光剂量。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子束正胶的曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供器件版图；
根据刻蚀工艺的具体需求，选择电子束正胶的厚度；
将所述器件版图的设计尺寸缩小以作为实验尺寸；
根据所述实验尺寸以及选择的电子束正胶的厚度进行电子束曝光实验，调整曝光剂量来使光刻胶完全感光，以使所述实验尺寸曝光至所述设计尺寸，得到曝光剂量-各设计尺寸的对应关系；
根据曝光剂量-各设计尺寸的对应关系，根据待曝...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺晓彬，张青竹，殷华湘，李俊峰，刘金彪，李亭亭，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11