【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体结构的基于模型的重构相关申请的交叉引用本申请要求于2018年4月9日提交的欧洲申请18166389.9的优先权，所述申请的全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及用于基于结构的模型而重构制备在衬底上的结构的方法和设备。更具体地，本专利技术可以涉及使用从所述结构衍射或散射的测量电磁辐射、和作为从所述结构的模型衍射或散射而模拟的模拟电磁辐射来重构所述结构。
技术介绍
光刻设备是一种构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以使用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm或13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(具有在4-20mm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以...
【技术保护点】
1.一种设备，用于确定制备在衬底上的结构的性质，所述设备包括处理器，所述处理器被配置成执行计算机程序代码以执行具有以下步骤的方法：/n根据从光学设备获得的测量结果生成的所述结构的测量光瞳图像的像素来确定测量特性，其中所述测量特性包括比所述测量光瞳图像更少的信息；/n生成与所述测量特性相对应的初始的模拟特性，所述模拟特性基于所述结构的候选模型；/n在迭代法中比较所述测量特性与所述模拟特性，以将所述结构的粗模型确定为所述结构的当前候选模型，直到所述测量特性与所述模拟特性之间的差小于粗阈值为止；/n基于作为所述候选模型的所述粗模型生成初始的模拟光瞳图像；/n在迭代法中比较所述测量...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180409 EP 18166389.91.一种设备，用于确定制备在衬底上的结构的性质，所述设备包括处理器，所述处理器被配置成执行计算机程序代码以执行具有以下步骤的方法：
根据从光学设备获得的测量结果生成的所述结构的测量光瞳图像的像素来确定测量特性，其中所述测量特性包括比所述测量光瞳图像更少的信息；
生成与所述测量特性相对应的初始的模拟特性，所述模拟特性基于所述结构的候选模型；
在迭代法中比较所述测量特性与所述模拟特性，以将所述结构的粗模型确定为所述结构的当前候选模型，直到所述测量特性与所述模拟特性之间的差小于粗阈值为止；
基于作为所述候选模型的所述粗模型生成初始的模拟光瞳图像；
在迭代法中比较所述测量光瞳图像的至少一部分与所述模拟光瞳图像的至少一部分，以将所述结构的精模型确定为所述结构的当前候选模型，直到所述测量光瞳图像的所述至少一部分与所述模拟光瞳图像的所述至少一部分之间的差小于精阈值为止。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述测量特性包括基于在所述测量光瞳图像中的多个像素的强度的平均强度，
并且其中所述模拟特性包括与所述模拟光瞳图像中的多个像素的强度相对应的平均强度。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述测量特性包括用于表示所述测量光瞳图像的一个或更多个泽尼克多项式的一个或更多个系数，
并且其中所述模拟特性包括用于表示所述模拟光瞳图像的一个或更多个泽尼克多项式的一个或更多个系数。
4.根据任一前述权利要求所述的设备，其中所述测量特性包括与使用入射到所述结构的不同波长的辐射而获得的多个光瞳图像有关的多个测量特性，
并且其中所述模拟特性包括多个模拟特性，所述多个模拟特性与被模拟成入射到所述结构的模型上的不同波长的辐射有关。
5.根据权利要求4所述的设备，其中比较所述测量特性与所述模拟特性包括比较所述测量特性的多个值与所述模拟特性的对应值。
6.根据权利要求5所述的设备，其中比较所述测量特性与所述模拟特性包括比较所述测量特性的多个值的序列与所述模拟特性的对应值的序列，
并且其中所述粗阈值包括序列之间的拟合良好性。
7.根据任一前述权利要求所述的设备，其中至少部分地基于所述候选模型直接地确定所述模拟特性，而不首先确定所述模拟光瞳图像。
8.根据任一前述权利要求所述的设备，其中所述测量特性和所述模拟特性不包括分别与辐射从所述结构被散射或被衍射的角度、或辐射被模拟成从所述结构的所述候选模型被散射或被衍射的角度有关的信息。
9.根据任一前述权利要求所述的设备，其中当比较所述测量光瞳图像的至少一部分与所述模拟光瞳图像的至少一部...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄淙斌，S·S·A·M·雅各布斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。