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本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种电子束正胶的曝光方法，包括以下步骤：提供器件版图；根据刻蚀工艺的具体需求，选择电子束正胶的厚度；将所述器件版图的设计尺寸缩小以作为实验尺寸；根据所述实验尺寸以及选择的电子束正胶的厚度进行电子束曝光实验...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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