反熔丝存储器制造技术

本发明专利技术的一种反熔丝存储器(42)，其特征在于，包括：存储器电容(44)，包括存储器栅极(G)和扩散区域，所述存储器栅极的一部分与活性区域相对配置，在所述存储器栅极与所述活性区域的相对区域形成有存储器栅绝缘膜(6)；N型MOS晶体管，包括整流元件栅极(G1)、源区域和漏区域，其中，所述扩散区域与位线(BL)连接，所述存储器栅极与所述源区域连接，所述整流元件栅极和所述漏区域与字线(WL)连接。

【技术实现步骤摘要】
反熔丝存储器本申请是原申请号为201680008338.9(PCT/JP2016/054809号进入中国国家阶段申请)、原申请日为2016年02月19日、原专利技术名称为“半导体存储装置”的分案申请。分案申请的专利技术名称由原专利技术名称“半导体存储装置”更改为“反熔丝存储器”。
本专利技术涉及一种半导体存储装置，例如，一种优选适用于反熔丝存储器以矩阵状配置的半导体存储装置的半导体存储装置。
技术介绍
现有技术中，作为通过破坏绝缘膜来可进行一次性数据写入的反熔丝存储器，周知的有具有如美国专利第6,667,902号的说明书(专利文献1)中所示的结构的反熔丝存储器。该专利文献1中所示的反熔丝存储器具有在阱上并列地形成开关晶体管和存储器电容的双晶体管结构。实际上，具有晶体管结构的开关晶体管中，在阱上夹着开关栅绝缘膜形成有开关栅极，在开关栅极上连接有字线，且在形成于阱表面的一个扩散区域连接有位线。另外，在与开关晶体管成对的存储器电容中，在阱上夹着存储器栅绝缘膜形成有存储器栅极，在该存储器栅极中连接有与开关栅极连接的字线不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反熔丝存储器，其特征在于，包括：/n存储器电容，包括存储器栅极和扩散区域，所述存储器栅极的一部分与活性区域相对配置，在所述存储器栅极与所述活性区域的相对区域形成有存储器栅绝缘膜；/nN型MOS晶体管，包括整流元件栅极、源区域和漏区域，/n其中，所述扩散区域与位线连接，/n所述存储器栅极与所述源区域连接，/n所述整流元件栅极和所述漏区域与字线连接。/n

【技术特征摘要】
20150225 JP 2015-0358581.一种反熔丝存储器，其特征在于，包括：
存储器电容，包括存储器栅极和扩散区域，所述存储器栅极的一部分与活性区域相对配置，在所述存储器栅极与所述活性区域的相对区域形成有存储器栅绝缘膜；
N型MOS晶体管，包括整流元件栅极、源区域和漏区域，
其中，所述扩散区域与位线连接，
所述存储器栅极与所述源区域连接，
所述整流元件栅极和所述漏区域与字线连接。


2.根据权利要求1所述的反熔丝存储器，其特征在于，
所述扩散区域形成在阱的表面，且在所述阱的表面形成有元件分离层，在所述元件分离层和所述扩散区域之间的表面夹着所述存储器栅绝缘膜形成有所述存储器栅极，
所述存储器栅极形成在从所述元件分离层上的部分区域到所述存储器栅绝缘膜上。


3.根据权利要求1或2所述的反熔丝存储器，其特征在于，
所述整流元件栅极和所述存储器栅极形成在相同的布线层上。


4.根据权利要求1或2所述的反熔丝存储器，其特征在于，
在所述阱的表面，形成有一侧的扩散区域和另一侧的扩散区域，所述一侧的扩散区域以与所述元件分离层相邻的方式形成所述源区域，所述另一侧的扩散区域与所述一侧的扩散区域相隔规定间隔而形成所述漏区域，在所述一侧的扩散区域和所述另一侧的扩散区域之间的所述阱的表面，夹着栅绝缘膜形成有所述整流元件栅极，
从所述另一侧的扩散区域到所述整流元件栅极竖立设置有字线连接器。


5.根据权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛西秀男，谷口泰弘，川嶋泰彦，樱井良多郎，品川裕，户谷达郎，山口贵德，大和田福夫，吉田信司，畑田辉男，野田敏史，加藤贵文，村谷哲也，奥山幸祐，
申请(专利权)人：株式会社佛罗迪亚，
类型：发明
国别省市：日本;JP