【技术实现步骤摘要】
电容器的阵列、用于形成集成电路的方法，以及用于形成电容器的阵列的方法
本文中所公开的实施例涉及电容器的阵列、用于形成集成电路的方法，以及用于形成电容器的阵列的方法。
技术介绍
存储器是一种类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。存储器可被制造在个体存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可被称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可被称作字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。数字线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，并且字线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。可通过数字线和字线的组合对每个存储器单元进行唯一地寻址。存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器是耗散的，并且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元经配置以在至少两个不同可选状态中保留或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被...
【技术保护点】
1.一种用于形成集成电路的方法，其包括：/n形成竖向穿过包括第一材料以及第二材料的堆叠的结构的阵列，所述结构相对于所述第一材料的最外部分竖直地投影；以及/n将能量引导到所述结构的竖直地投影部分上并且到在与竖直成角度的且在紧邻的所述结构之间沿着直线的方向上的所述第二材料上以形成到所述第二材料中的开口，所述开口沿着所述直线单独地在所述紧邻结构之间。/n
【技术特征摘要】
20190523 US 16/420,5821.一种用于形成集成电路的方法，其包括：
形成竖向穿过包括第一材料以及第二材料的堆叠的结构的阵列，所述结构相对于所述第一材料的最外部分竖直地投影；以及
将能量引导到所述结构的竖直地投影部分上并且到在与竖直成角度的且在紧邻的所述结构之间沿着直线的方向上的所述第二材料上以形成到所述第二材料中的开口，所述开口沿着所述直线单独地在所述紧邻结构之间。
2.根据权利要求1所述的方法，其中能量的所述引导形成穿过所述第二材料的所述开口。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二材料直接抵靠着所述第一材料，能量的所述引导形成到所述第一材料的所述开口。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在与竖直成角度的所述方向上在能量的所述引导到所述第二材料上的开始处所述第二材料并不覆盖所述结构的竖直地最外表面。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述第二材料覆盖所述结构的竖直地最外表面；以及
能量的所述引导最初到所述第二材料上以暴露所述结构的竖直地最外表面。
6.根据权利要求1所述的方法，其中能量的所述引导通过所述第二材料的化学蚀刻移除所述第二材料以至少主要形成所述开口。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述化学蚀刻是相对于所述竖直地投影的伸出部分选择性地进行的。
8.根据权利要求1所述的方法，其中能量的所述引导通过所述第二材料的非化学的物理移除来移除所述第二材料以至少主要形成所述开口。
9.根据权利要求8所述的方法，其中能量的所述引导包括将离子束引导到所述结构的所述竖直地投影部分上并且以所述角度到所述第二材料上。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口具有等于所述结构的总数目的总数目。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述第二材料最初包括在所述阵列内水平地且竖直地连续的水平层；以及
通过能量的所述引导或在能量的所述引导之后形成所述水平层为水平地且竖直地不连续。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述开口具有等于所述结构的总数目的总数目。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构排列在二维2D六边形晶格中。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构排列在具有平行四边形单位晶胞的二维2D晶格中，所述方向沿着所述平行四边形单位晶胞的对角线。
15.一种用于形成电容器的阵列的方法，其包括：
形成穿过包括第一材料以及第二材料的堆叠的竖直地延长的第一电容器电极的阵列，所述第一电容器电极相对于所述第一材料的最外部分竖直地投影；
将能量引导到所述第一电容器电极的竖直地投影部分上并且到在与竖直成角度的且在紧邻的所述第一电容器电极之间沿着直线的方向上的所述第二材料上以形成穿过所述第二材料的开口，所述开口沿着所述直线单独地在所述紧邻第一电容器电极之间，能量的所述引导从在沿着所述直线的竖直截面中所述竖直地投影部分的相应的第一侧移除全部的所述第二材料，能量的所述引导留下在所述竖直截面中横向地在所述竖直地投影部分的相应的第二侧上方的所述第二材料；
在能量的所述引导之后，移除所述第一材...
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