一种聚合物铁电随机存储器材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种聚合物铁电存储器及其制备方法。该方法包括：将P(VDF‑TrFE)薄膜与PTFE薄膜进行共同热压并退火而得。该铁电存储器具有良好的铁电性与柔性。该铁电存储器具有规则的形貌特征，可省去对铁电层的蚀刻或压印；该铁电存储器具有高存储密度，存储密度可达60GB/inch

【技术实现步骤摘要】
一种聚合物铁电随机存储器材料及其制备方法
本专利技术属于非易失性铁电存储器领域，尤其涉及一种聚合物铁电随机存储器材料及其制备方法。
技术介绍
随着现代电子产品的多功能化与小型化，电子器件的集成度越发提高，但传统闪存的操作电压、读写时间、疲劳特性、存储密度已越来越不能满足人们对于现代电子器件的需求。新型存储器例如铁电存储器、相变存储器、磁阻存储器已被广泛研究，以用于下一代存储器材料。其中铁电存储器具有高读写速度、高存储密度、低功耗、非易失性等优势，被认为是下一代存储器材料中最具竞争力的一种。近年来，随着柔性器件与可穿戴设备逐渐受到市场的青睐，具备天然柔性的聚合物材料用于铁电存储器的研究广受关注，其中P(VDF-TrFE)以其自发极化强度高、极化稳定性强、极化翻转速度快脱颖而出。相比于传统无机材料，聚合物铁电材料的优势还在于，其易于成型加工，且加工温度低，更有利于减少生产成本。对于现有的研究结果，通常需要机械作用如拉伸与压印对P(VDF-TrFE)碳链结构进行取向，以获得更稳定的面外极化翻转性能，这样的复杂的机械加工对基于P本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备聚合物铁电存储器材料的方法，包括如下步骤：/n将P(VDF-TrFE)薄膜与PTFE薄膜进行共同热压并退火而得。/n

【技术特征摘要】
1.一种制备聚合物铁电存储器材料的方法，包括如下步骤：
将P(VDF-TrFE)薄膜与PTFE薄膜进行共同热压并退火而得。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述P(VDF-TrFE)中VDF与TrFE两种聚合单元的摩尔比为50:50-90:10。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述P(VDF-TrFE)的分子量为5～100万；具体为40万或47万。


4.根据权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于：所述PTFE薄膜的取向为未取向、单轴取向和双轴取向中的任一种；
所述PTFE薄膜的厚度为0.01～2.0mm；具体为0.3mm；
所述P(VDF-TrFE)薄膜的厚度为100...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈洋，郭梦帆，马静，李明，林元华，南策文，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11