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本发明公开了一种聚合物铁电存储器及其制备方法。该方法包括：将P(VDF‑TrFE)薄膜与PTFE薄膜进行共同热压并退火而得。该铁电存储器具有良好的铁电性与柔性。该铁电存储器具有规则的形貌特征，可省去对铁电层的蚀刻或压印；该铁电存储器具有高存...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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