温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的一种反熔丝存储器(42)，其特征在于，包括：存储器电容(44)，包括存储器栅极(G)和扩散区域，所述存储器栅极的一部分与活性区域相对配置，在所述存储器栅极与所述活性区域的相对区域形成有存储器栅绝缘膜(6)；N型MOS晶体管，包括整流...
该专利属于株式会社佛罗迪亚所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社佛罗迪亚授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。