反熔丝存储单元制造技术

本实用新型专利技术实施例涉及一种反熔丝存储单元，包括：衬底，所述衬底上具有选择栅极结构；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别位于选择栅极结构相对两侧的所述衬底内，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同；位于所述第一掺杂区上的反熔丝栅介质层和位于所述反熔丝栅介质层上的反熔丝栅极；第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区与所述选择栅极结构之间，所述第三掺杂区的与所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同，且所述第三掺杂区的掺杂离子浓度小于所述第二掺杂区的掺杂离子浓度。本实用新型专利技术可以降低电场对选择栅介质层的损伤，从而提高反熔丝存储单元中选择晶体管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
反熔丝存储单元
本技术涉及半导体
，特别涉及一种反熔丝存储单元。
技术介绍
存储器装置通常可以分为易失性存储器装置和非易失性存储装置。非易失性存储装置又可以分成只读存储器(readonlymemory，ROM)、单次可编程存储器(onetimeprogrammablememory，OTPmemory)以及可重复读写存储器。其中，单次可编程存储器可以类分为熔丝型(fusetype)以及反熔丝型(anti-fusetype)。在DRAM(动态随机存取存储器，DynamicRandomAccessMemory)等半导体器件中，一般通过使用冗余单元来替代不能正常工作的缺陷单元，以修复缺陷地址。在存储缺陷地址的过程中，通常使用反熔丝存储器来存储信息。反熔丝存储器的最小单元通常由一个反熔丝晶体管和一个选择晶体管构成。反熔丝存储器的工作原理是根据反熔丝栅介质层是否被击穿来存储数据1或0，因此，反熔丝存储器能够使原本电学隔离的两个元件选择性地进行电学连接。现有技术中，在反熔丝存储器编写过程中，选择晶体管的源/漏端瞬间承受反熔丝晶体管传递过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反熔丝存储单元，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底上具有选择栅极结构；/n漏极和与所述漏极掺杂离子类型相同的源极，所述漏极和所述源极分别位于所述选择栅极结构相对两侧的所述衬底内；/n位于所述漏极上的反熔丝栅介质层和位于所述反熔丝栅介质层上的反熔丝栅极；/nLDD结构，与所述源极掺杂离子类型相同且掺杂离子浓度小于所述源极的所述LDD结构位于所述衬底内且与所述源极相接触，所述LDD结构位于所述源极与所述选择栅极结构之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种反熔丝存储单元，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上具有选择栅极结构；
漏极和与所述漏极掺杂离子类型相同的源极，所述漏极和所述源极分别位于所述选择栅极结构相对两侧的所述衬底内；
位于所述漏极上的反熔丝栅介质层和位于所述反熔丝栅介质层上的反熔丝栅极；
LDD结构，与所述源极掺杂离子类型相同且掺杂离子浓度小于所述源极的所述LDD结构位于所述衬底内且与所述源极相接触，所述LDD结构位于所述源极与所述选择栅极结构之间。


2.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述选择栅极结构包括选择栅介质层以及位于所述选择栅介质层顶部表面的选择栅极；所述选择栅介质层与所述反熔丝栅介质层均为氧化硅；所述反熔丝栅介质层的厚度小于或等于所述栅介质层的厚度。


3.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，还包括：与所述漏极掺杂离子类型不同的第一HALO区，所述第一HALO区位于所述衬底内且与所述漏极相接触，所述第一HALO区位于所述漏极与所述选择栅极结构之间。


4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯鹏，李雄，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34