一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件技术

本发明专利技术提供了一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件，包括：有源区、位于有源区一侧的浅沟槽隔离结构、位于有源区上的第一氧化硅层、位于浅沟槽隔离结构和第一氧化硅层上的栅极结构、位于栅极结构两侧的侧墙、依次位于栅极结构上的难熔硅化物层和第二氮化硅层，以及连接难熔硅化物层的接触孔，浅沟槽隔离结构表面高于所述第一氧化硅表面。阴极端放置在浅沟槽隔离结构区域，阳极端放置在有源区，由于浅沟槽隔离结构区域和有源区形成了台阶，难熔硅化物层也形成台阶，在台阶处难熔硅化物的晶粒尺寸与平面处存在差异，有利于阴极端金属离子的迁移，迁移后的金属离子不易重新返回阴极端，提高了可靠性。

Manufacturing method and disposable programmable device of disposable programmable device

【技术实现步骤摘要】
一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件
本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件。
技术介绍
与通用型和单一存储器相比，嵌入式的存储单元可以增强存储器的性能，还可以减少芯片的面积。嵌入式的非易失存储器广泛地用于消费电子，工业和汽车电子的编程代码等，由于嵌入式的存储单元的工艺与现有工艺兼容，得到广泛应用。其中一类嵌入式的存储单元为基于难熔硅化物的一次性可编程单元，由于与现有工艺兼容性好，操作简单得到大量应用，从65纳米逻辑工艺和40纳米逻辑工艺一直到28纳米逻辑工艺都在使用，基本结构示意图如图1，浅沟槽隔离结构1上依次为多晶硅层2、难熔硅化物层3和氮化硅层4。由于难熔硅化物层3与多晶硅层2的不同电阻率，利用电迁移的方法将其中的难熔硅化物层3从阴极迁移到阳极，从而改变难熔硅化物层3的电阻。由于多晶硅层2的阻值远大于难熔硅化物层3，所以电流通过难熔硅化物层3流动，难熔硅化物从阴极向阳极迁移，一次性可编程单元的温度迅速升高，多晶硅层2熔化，掺杂发生电迁移，导致电流突然下降，温度也低于熔化温度，多晶硅层2重新结晶。现有的基于难熔硅化物的一次可编程单元一般是放在浅槽隔离区1上面的，来避免编程时的大电流对于多晶硅层2的影响。但是这种结构在单元编程后，在高温的过程中迁移后的金属离子容易返回。对于基于难熔硅化物的一次可编程单元，有时为了缩减尺寸会选择长度较小的单元，对于这种结构，在高温情况下，会发生严重的金属返回现象，导致编程单元失效，从而整个性能失效。
技术实现思路
r>本专利技术的目的在于提供一种一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程，使得迁移后的金属离子不易重新返回阴极端，提高可靠性。为了达到上述目的，本专利技术提供了一次性可编程器件的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上沉积厚氧化硅层；在所述厚氧化硅层上形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；刻蚀所述第一氮化硅层、所述第一氧化硅层和厚氧化硅层形成浅沟槽隔离结构，剩余的厚氧化硅层形成有源区；刻蚀所述有源区区域的第一氮化硅层露出第一氧化物层；在所述浅沟槽隔离结构和所述第一氧化物层表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧形成侧墙；在所述栅极结构上依次形成难熔硅化物层和第二氮化硅层；形成连接所述难熔硅化物层的接触孔。可选的，所述的一次性可编程器件的制造方法中，所述接触孔的数量为三个，分别为第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔，第一接触孔、所述第二接触孔和所述第三接触孔穿过所述氮化物层连接所述难熔硅化物层。可选的，所述的一次性可编程器件的制造方法中，所述第一接触孔连接所述一次可编程器件的阴极。可选的，所述的一次性可编程器件的制造方法中，所述所述第二接触孔和第三接触孔连接所述一次可编程器件的阳极。可选的，所述的一次性可编程器件的制造方法中，所述第一接触孔位于所述浅沟槽隔离结构区域。可选的，所述的一次性可编程器件的制造方法中，所述第二接触孔和所述第三接触孔位于所述有源区区域。可选的，所述的一次性可编程器件的制造方法中，所述浅沟槽隔离结构占所述浅沟槽隔离结构和所述有源区的总面积的比例为1/4～1/2。可选的，所述的一次性可编程器件的制造方法中，所述栅极结构由多晶硅刻蚀形成。本专利技术还提供了一种一次性可编程器件，包括：有源区、位于所述有源区一侧的浅沟槽隔离结构、位于所述有源区上的第一氧化硅层、位于所述浅沟槽隔离结构和所述第一氧化硅层上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的侧墙、依次位于所述栅极结构上的难熔硅化物层和第二氮化硅层，以及连接所述难熔硅化物层的接触孔，所述浅沟槽隔离结构表面高于所述第一氧化硅表面。可选的，在所述的一次性可编程器件中，所述栅极结构、所述难熔硅化物层和所述第二氮化物层分别自身形成台阶。在本专利技术提供的一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件，一次可编程器件的阴极端放置在浅沟槽隔离结构区域，阳极端放置在有源区，由于浅沟槽隔离结构区域和有源区形成了台阶，难熔硅化物层也形成台阶，在台阶处难熔硅化物的晶粒尺寸与平面处存在差异，有利于阴极端金属离子的迁移，在台阶处形成空洞，迁移后的金属离子在高温下由于受到台阶高度的影响，不易重新返回阴极端，提高了可靠性。附图说明图1是现有技术基于难熔硅化物的一次可编程单元的结构图；图2是本专利技术实施例的一次性可编程器件的制造方法的流程图；图3-图6是本专利技术实施例的一次性可编程器件的制造方法的剖面图；图中：1-浅沟槽隔离结构、2-多晶硅层、3-难熔硅化物层、4-氮化硅层、110-厚氧化硅层、120-第一氧化硅层、130-第一氮化硅层、140-浅沟槽隔离结构、150-有源区、160-栅极结构、170-侧墙、180-难熔硅化物层、190-第二氮化硅层、200-第一接触孔、210-第二接触孔。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。在下文中，术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。请参照图2，本专利技术提供了一次性可编程器件的制造方法，包括：S11：提供衬底，在所述衬底上沉积厚氧化硅层；S12：在所述厚氧化硅层上形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；S13：刻蚀所述第一氮化硅层、所述第一氧化硅层和厚氧化硅层形成浅沟槽隔离结构，剩余的厚氧化硅层形成有源区；S14：刻蚀所述有源区区域的第一氮化硅层露出第一氧化物层；S15：在所述浅沟槽隔离结构和所述第一氧化物层表面形成栅极结构；S16：在所述栅极结构两侧形成侧墙；S17：在所述栅极结构上依次形成难熔硅化物层和第二氮化硅层；S18：形成分别连接所述栅极和所述难熔硅化物层的接触孔。请参照图3，首先提供衬底(图中未示出)，所述衬底可以是晶圆，在所述衬底上生长厚氧化硅层110，采用湿法生长，大概76埃的厚度。接着，在厚氧化硅层110上形成第一氧化硅层120和第一氮化硅层130，刻蚀第一氮化硅层130、第一氧化硅层120和厚氧化硅层110形成浅沟槽，向浅沟槽内填充氧化硅并且进行机械研磨形成浅沟槽隔离结构140，剩余的厚氧化硅层110形成有源区150，也就是说浅沟槽隔离结构140旁边为有源区150。请参照图4，刻蚀有源区150上的第一氮化硅层130，这样有源区130表面还剩下第一氧化硅层120，因此，浅沟槽隔离结构140的表面高于剩余的第一氧化硅层130的表面，即浅沟槽隔离结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一次性可编程器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，在所述衬底上沉积厚氧化硅层；/n在所述厚氧化硅层上形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；/n刻蚀所述第一氮化硅层、所述第一氧化硅层和厚氧化硅层形成浅沟槽隔离结构，剩余的厚氧化硅层形成有源区；/n刻蚀所述有源区区域的第一氮化硅层露出第一氧化物层；/n在所述浅沟槽隔离结构和所述第一氧化物层表面形成栅极结构；/n在所述栅极结构两侧形成侧墙；/n在所述栅极结构上依次形成难熔硅化物层和第二氮化硅层；/n形成连接所述难熔硅化物层的接触孔。/n

【技术特征摘要】
1.一次性可编程器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上沉积厚氧化硅层；
在所述厚氧化硅层上形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；
刻蚀所述第一氮化硅层、所述第一氧化硅层和厚氧化硅层形成浅沟槽隔离结构，剩余的厚氧化硅层形成有源区；
刻蚀所述有源区区域的第一氮化硅层露出第一氧化物层；
在所述浅沟槽隔离结构和所述第一氧化物层表面形成栅极结构；
在所述栅极结构两侧形成侧墙；
在所述栅极结构上依次形成难熔硅化物层和第二氮化硅层；
形成连接所述难熔硅化物层的接触孔。


2.如权利要求1所述的一次性可编程器件的制造方法，其特征在于，所述接触孔的数量为三个，分别为第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔，第一接触孔、所述第二接触孔和所述第三接触孔穿过所述氮化物层连接所述难熔硅化物层。


3.如权利要求2所述的一次性可编程器件的制造方法，其特征在于，所述第一接触孔连接所述一次可编程器件的阴极。


4.如权利要求3所述的一次性可编程器件的制造方法，其特征在于，所述第二接触孔和所述第三接触孔连接所述一次可编程器件的阳极。


5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：田志，李娟娟，邵华，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31