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本发明提供了一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件，包括：有源区、位于有源区一侧的浅沟槽隔离结构、位于有源区上的第一氧化硅层、位于浅沟槽隔离结构和第一氧化硅层上的栅极结构、位于栅极结构两侧的侧墙、依次位于栅极结构上的难熔硅化物层和第二...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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