【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化合物半导体电路
,尤其涉及一种单片集成的环形振荡器与分频器电路及其处理方法。
技术介绍
单片集成的增强/耗尽型高电子迁移率晶体管(E/D MHEMT)可以实现直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL),可以用于实现高速逻辑电路。将奇数个反相器首尾相连,可以构成环形振荡器(loop oscillator),输入端加直流电压后,环形振荡器振荡,产生正弦信号。环形振荡器可以衡量一种工艺的成熟度,环振器包括的反相器个数越多,说明工艺的成熟度越高。分频器(divider)的作用是将输入的无线射频(RF)信号分频后输出。按不同的标准分为:数字分频器和模拟分频器;静态分频器和动态分频器;二分频器、三分频器等。一般情况下,在测试分频器时,需要专门输入RF信号,才可以正常测试,具体如图6所示,这样就导致了芯片面积较大,测试过程较为复杂。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题有鉴于此,本专利技术的一个目的在于提供一种单片集成的环形振荡器与分频器电路,以达到减少芯片面积,简化测试过程的目的。本专利技术的另一个目的在于提供一种单片集成的环形振荡器与分频器电路的处理方法,以达 ...
【技术保护点】
一种单片集成的环形振荡器与分频器电路,其特征在于,该电路由基于直接耦合场效应晶体管逻辑DCFL的环形振荡器和分频器构成,在芯片上,所述环形振荡器的输出端连接于所述分频器的输入端,在环形振荡器的输入端加直流电压后,环形振荡器振荡产生正弦信号并输出,该输出的正弦信号作为分频器的输入信号,分频器在正常工作后,输出分频后的无线射频RF信号。
【技术特征摘要】
1、一种单片集成的环形振荡器与分频器电路,其特征在于,该电路由基于直接耦合场效应晶体管逻辑DCFL的环形振荡器和分频器构成,在芯片上,所述环形振荡器的输出端连接于所述分频器的输入端,在环形振荡器的输入端加直流电压后,环形振荡器振荡产生正弦信号并输出,该输出的正弦信号作为分频器的输入信号,分频器在正常工作后,输出分频后的无线射频RF信号。2、根据权利要求1所述的单片集成的环形振荡器与分频器电路,其特征在于,所述环形振荡器或分频器基于增强/耗尽型高电子迁移率晶体管E/D HEMT材料和工...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐静波,张海英,叶甜春,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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