用于集成电路测试的内部参考电压产生制造技术

公开了一种或多种方法，提供电源电压给集成电路，将所述集成电路设置成测试模式以选择集成电路上的多个参考电压发生器中的一个来给集成电路上的另一个电压发生器提供参考电压，该参考电压至少部分地依赖于所述电源电压，并利用提供给该另一个电压发生器的参考电压来测试所述集成电路。公开了一种或多种集成电路，包括：集成电路上的第一电压发生器，用来产生至少部分地依赖于给所述集成电路供电的电源电压的第一电压；集成电路上的第二电压发生器，用来产生第二电压；集成电路上的第三电压发生器，用来基于参考电压产生一个或多个内部电压；及控制电路，用来选择第一电压用作测试模式中的参考电压和选择第二电压用作非测试模式中的参考电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及集成电路测试。
技术介绍
图1示出了晶片100上的现有技术集成电路101。集成电路101包括带隙参考(BGR)电压发生器110、开关112、电源和控制电压发生器140、存储器控制电路和一个或多个存储器阵列150、控制电路130、测试电路160及调整电路170。BGR电压发生器110产生基本上不依赖于温度的BGR电压，电源和控制电压发生器140根据该电压为存储器控制电路和存储器阵列150产生电源和控制电压。因为由BGR电压发生器110产生的BGR电压会因例如制造容差而不同于它期望的目标值，因此使用测试器180利用外部强加BGR电压来测试集成电路101。这个外部强加BGR电压可在一个范围内变化，该范围包括由发生器110产生的BGR电压的预期变化范围。通过在这个范围内测试所述集成电路(例如，通过向(多个)存储器阵列150写入和读取已知的测试数据模式)，可以肯定所述集成电路101将在由发生器110内部产生的电压的预期范围内正确工作。测试器180根据图2所示的流程图来测试集成电路101。在方块202测试器180通过外部VDD焊盘103来提供电源电压VDD，并通过外部VSS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测试集成电路的方法，包括：给集成电路提供电源电压；将集成电路设置为测试模式以选择集成电路上的多个参考电压发生器中的一个，来给集成电路上的另一个电压发生器提供参考电压，该参考电压至少部分地依赖于所述电源电压；及 用提供给该另一电压发生器的参考电压来测试所述集成电路。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J黑蒂，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]