一种防止金属化半孔毛刺的加工方法技术

技术编号:26426880 阅读:43 留言:0更新日期:2020-11-20 14:24
本发明专利技术提供一种防止金属化半孔毛刺的加工方法,包括以下步骤:前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程。所述锣半孔加工中,锣槽的长度视所需成排的半孔长度而确定,以第一个半孔外边沿向外延伸后流程成型所选铣刀直径等长的长度为起点,以最后一个半孔外边沿向外延伸流程成型所选铣刀直径等长的长度为终点,两点之间的距离为长槽长度。本发明专利技术可以有效防止金属化半孔毛刺的产生,且无需采用化学药水蚀刻除去毛刺而造成环境污染。

【技术实现步骤摘要】
一种防止金属化半孔毛刺的加工方法
本专利技术属于线路板加工
,具体涉及一种防止金属化半孔毛刺的加工方法。
技术介绍
PCB(PrintedCircuitBoard),中文名称为印制电路板,又称印刷线路板,是重要的电子部件,是电子元器件的支撑体,是电子元器件电气连接的载体。由于它采用电子印刷术制作的,故被称为“印刷”电路板。其中,金属化半孔PCB是指一钻孔经孔化后,再二钻、外形工艺,最终保留金属化孔一半。金属化半孔PCB具体工艺流程为:一钻孔、板面电镀、外光成像、图形电镀、烘干、半孔处理、退膜、蚀刻、退锡、其他流程、外形。现有的金属化PCB金属毛刺通常需要通过蚀刻的方式除去毛刺,存在以下两个问题:1、锣金属化半孔时,孔铜因锣刀的高速旋转的拉扯,形成铜毛刺,绝大部分铜毛刺存在向半孔内壁延伸的部分,使用化学药水蚀刻除去毛刺时,仍有部分毛刺残留后镀锡、镀铜,当毛刺附着于板面时,毛刺的锡面朝上,若蚀刻不净会存留残铜,并形成微短,且由于金属毛刺相当细致,难以被AOI光学检测机检测,或者在检测时,毛刺脱落并反沾到板面上,形成内短进一步影响PCB良品率;2、使用化学药水蚀刻除去毛刺,存在金属化半孔内壁部分孔铜被蚀刻的风险。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种防止金属化半孔毛刺的加工方法,本专利技术可以有效防止金属化半孔毛刺的产生,且无需采用化学药水蚀刻除去毛刺而造成环境污染。本专利技术的技术方案为:一种防止金属化半孔毛刺的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程。特别的,本专利技术中,所述锣半孔加工设置在钻孔加工后,沉铜加工前。进一步的,所述锣半孔加工中,选择直径为0.6-1.0mm铣刀,在需要制作金属化半孔的位置锣槽。所述锣槽的设计结构如图1所示。进一步的,所述锣半孔加工中,锣槽的长度视所需成排的半孔长度而确定,以第一个半孔外边沿向外延伸后流程成型所选铣刀直径等长的长度为起点,以最后一个半孔外边沿向外延伸流程成型所选铣刀直径等长的长度为终点,两点之间的距离为长槽长度。进一步的,所述贴蓝胶加工中,在锣半孔后,整板双面贴蓝胶,将线路板两面一个短边预留蓝胶宽度2cm,将预留蓝胶对折紧贴。进一步的,所述蓝胶开窗加工中,采用CO2激光切割机,将上述半孔及锣半孔时形成的长槽切割开窗,开窗大小上述半孔及锣半孔时形成的长槽预大1mil。进一步的,所述印湿膜加工中,采用整板印湿膜将,选择耐电镀药水的湿膜,使得整板、半孔及锣半孔时形成的长槽内壁形成一层感光薄膜。进一步的,所述图形转型加工中,选择激光直接成像机,将锣半孔所形成的长槽曝光,使得长槽内壁的感光薄膜发生光聚合反应,形成新的抗显影液的薄膜。进一步的,所述湿膜显影加工中,正常显影后,长槽内壁有抗显影液的薄膜。进一步的,在经过正常沉铜、一铜加工后,长槽内壁有一层薄膜,使得长槽内壁无法形成铜层。进一步的,所述外层蚀刻加工中,褪膜段采用1m/min-2m/min褪膜速度,使得长槽内壁褪膜干净。现有技术中,一般的加工工艺为:前处理→钻孔→沉铜→一铜→外形图层→外层AOI→图形电镀→锣半孔→化学蚀刻→阻焊→后流程。与现有技术相比较,本申请专利技术人通过大量的创造性试验,对以下工艺进行改进,达到了本专利技术的技术效果,具体为:钻孔后沉铜前锣半孔;印湿膜前,采用贴蓝胶封孔的方式,防止PCB板中的金属化小孔湿膜入孔,因显影药水交换缓慢,小孔孔壁湿膜因显影不尽,而残留在孔壁,导致无法沉铜电镀,影响产品电性导通;印湿膜保护长槽内壁,使其孔壁无法形成铜层。本专利技术可以有效防止金属化半孔毛刺的产生,且无需采用化学药水蚀刻除去毛刺而造成环境污染。附图说明图1为本专利技术加工锣半孔的示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合具体实施方式,对本专利技术进行进一步的详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用以解释本专利技术,并不限定本专利技术的保护范围。实施例1一种防止金属化半孔毛刺的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程。特别的,本专利技术中,所述锣半孔加工设置在钻孔加工后,沉铜加工前。进一步的,所述锣半孔加工中,选择直径为0.8mm铣刀,在需要制作金属化半孔的位置锣槽。所述锣槽的设计结构如图1所示。进一步的,所述锣半孔加工中,锣槽的长度视所需成排的半孔长度而确定,以第一个半孔外边沿向外延伸后流程成型所选铣刀直径等长的长度为起点,以最后一个半孔外边沿向外延伸流程成型所选铣刀直径等长的长度为终点,两点之间的距离为长槽长度。进一步的,所述贴蓝胶加工中,在锣半孔后,整板双面贴蓝胶,将线路板两面一个短边预留蓝胶宽度2cm,将预留蓝胶对折紧贴。进一步的,所述蓝胶开窗加工中,采用CO2激光切割机,将上述半孔及锣半孔时形成的长槽切割开窗,开窗大小上述半孔及锣半孔时形成的长槽预大1mil。进一步的,所述印湿膜加工中,采用整板印湿膜将,选择耐电镀药水的湿膜,使得整板、半孔及锣半孔时形成的长槽内壁形成一层感光薄膜。进一步的,所述图形转型加工中,选择激光直接成像机,将锣半孔所形成的长槽曝光,使得长槽内壁的感光薄膜发生光聚合反应,形成新的抗显影液的薄膜。进一步的,所述湿膜显影加工中,正常显影后,长槽内壁有抗显影液的薄膜。进一步的,在经过正常沉铜、一铜加工后,长槽内壁有一层薄膜,使得长槽内壁无法形成铜层。进一步的,所述外层蚀刻加工中,褪膜段采用1.5m/min褪膜速度,使得长槽内壁褪膜干净。本专利技术可以有效防止金属化半孔毛刺的产生,且无需采用化学药水蚀刻除去毛刺而造成环境污染。实施例2一种防止金属化半孔毛刺的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程。特别的,本专利技术中,所述锣半孔加工设置在钻孔加工后,沉铜加工前。进一步的,所述锣半孔加工中,选择直径为0.6mm铣刀,在需要制作金属化半孔的位置锣槽。进一步的,所述锣半孔加工中,锣槽的长度视所需成排的半孔长度而确定,以第一个半孔外边沿向外延伸后流程成型所选铣刀直径等长的长度为起点,以最后一个半孔外边沿向外延伸流程成型所选铣刀直径等长的长度为终点,两点之间的距离为长槽长度。进一步的,所述贴蓝胶加工中,在锣半孔后,整板双面贴蓝胶,将线路板两面一个短边预留蓝胶宽度2cm,将预留蓝胶对折紧贴。进一步的,所述蓝胶开窗加工中,采用CO2激光切割机,将上述半孔及锣半孔时形成的长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止金属化半孔毛刺的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程。/n

【技术特征摘要】
1.一种防止金属化半孔毛刺的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程。


2.根据权利要求1所述的防止金属化半孔毛刺的加工方法,其特征在于,所述锣半孔加工中,选择直径为0.6-1.0mm铣刀,在需要制作金属化半孔的位置锣槽。


3.根据权利要求2所述的防止金属化半孔毛刺的加工方法,其特征在于,所述锣半孔加工中,锣槽的长度视所需成排的半孔长度而确定,以第一个半孔外边沿向外延伸后流程成型所选铣刀直径等长的长度为起点,以最后一个半孔外边沿向外延伸流程成型所选铣刀直径等长的长度为终点,两点之间的距离为长槽长度。


4.根据权利要求1所述的防止金属化半孔毛刺的加工方法,其特征在于,所述贴蓝胶加工中,在锣半孔后,整板双面贴蓝胶,将线路板两面一个短边预留蓝胶宽度2cm,将预留蓝胶对折紧贴。


5.根据权利要求1所述的防止金属化半孔毛刺的加工方法,其特征在于,所述蓝胶开窗加工中,采用CO...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄双双林映生唐宏华武守坤陈春柯涵
申请(专利权)人:惠州市金百泽电路科技有限公司西安金百泽电路科技有限公司深圳市金百泽电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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