【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括静电夹具的装置和用于操作该装置的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年4月12日提交的EP申请18166955.7的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及一种包括静电夹具的装置及其操作方法。更具体地但非排他性地，该装置可以包括光刻工具，静电夹具被配置为在光刻图案化期间夹持诸如图案形成装置等组件。
技术介绍
光刻装置是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻装置可以例如将在图案形成装置(例如，掩模或掩模版)处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影在衬底上，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻装置相比，使用波长在4-20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以用于在衬底上形成更小的特征。光刻装置通常可以使用高压静电夹具，以便例如在图案形成操作期间夹持图案形成装置。静电夹具和图案形成装置通常被保持在低压富氢环境中。该环境是非导电的。因此，应当理解，电荷可以累积在电介质表面或不接地的表面上。例如，在操作过程中，电荷可能会通过接触部分(例如，掩模夹具)或通过气体流动期间的粒子碰撞而积聚在电介质表面或不接地的表面上。还应当理解，由于产生EUV引起的氢等离子体，EUV辐射可能导致富氢环境变得导电。在EUV引起的氢等离子体中生成的自由电荷可能被静电夹具生成的电场吸引(或排...
【技术保护点】
1.一种装置，包括用于夹持一组件的静电夹具和用于邻近所述静电夹具生成自由电荷的机构：/n其中用于生成自由电荷的所述机构被配置为：在从所述静电夹具的第一激发状态到所述静电夹具的第二激发状态的转变期间，邻近所述静电夹具生成自由电荷。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180412 EP 18166955.71.一种装置，包括用于夹持一组件的静电夹具和用于邻近所述静电夹具生成自由电荷的机构：
其中用于生成自由电荷的所述机构被配置为：在从所述静电夹具的第一激发状态到所述静电夹具的第二激发状态的转变期间，邻近所述静电夹具生成自由电荷。
2.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述静电夹具包括被配置为夹持所述组件的夹持区域；以及
当组件被夹持时，在所述夹持区域与所述组件之间生成夹持电场。
3.根据权利要求2所述的装置，其中：
所述静电夹具还包括非夹持区域；以及
当组件被所述夹持区域夹持时，在所述非夹持区域周围生成次级电场。
4.根据权利要求2或3所述的装置，其中所述静电夹具包括至少一个电极，其中当组件被所述静电夹具夹持时，夹持电压被施加到所述至少一个电极，使得在所述夹持区域与所述组件之间生成所述夹持电场。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述静电夹具还包括被配置为提供与所述至少一个电极的电连接的至少一个触点，其中用于生成自由电荷的所述机构被配置为：在从所述静电夹具的所述第一激发状态到所述静电夹具的所述第二激发状态的所述转变期间，邻近所述至少一个触点生成自由电荷。
6.根据权利要求4或5所述的装置，其中在所述第一激发状态中，具有第一极性的电压被施加到所述至少一个电极，并且在所述第二激发状态中，具有与所述第一极性相反的第二极性的电压被施加到所述至少一个电极。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述静电夹具包括至少两个电极，并且其中：
在所述第一激发状态中，具有所述第一极性的电压被施加到所述电极中的第一电极，并且具有所述第二极性的电压被施加到所述电极中的第二电极，以及
在所述第二激发状态中，具有所述第二极性的电压被施加到所述电极中的所述第一电极，并且具有所述第一极性的电压被施加到所述电极中的所述第二电极。
8.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述夹具被配置为：使得在所述第一激发状态和所述第二激发状态中的每个激发状态中，组件能够被所述静电夹具夹持。
9.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中用于邻近所述静电夹具生成自由电荷的所述机构包括：气体源，和被配置为使由所述气体源提供的气体电离的电离辐射源。
10.根据权利要求9所述的装置，其中所述电离辐射源包括选自由以下各项组成的组的源：EUV源、VUV源、软X射线源和放射源。
11.一种光刻装置，被布置为将图案从图案形成装置投影到衬底上，其中所述光刻装置包括根据前述权利要求中任一项所述的装置，并且其中所述图案形成装置包括待夹持的所述组件。
12.根据权利要求11所述的光刻装置，还包括：
照射系统，被配置为调节辐射束；
其中所述静电夹具被配置为夹持所述图案形成装置，所述图案形成装置能够在所述辐射束的横截面中向所述辐射束赋予图案，以形成图案化的辐射束；
衬底台，被构造为保持衬底；以及
投影系统，被配置为将所述图案化的辐射束投影到所述衬底上。
13.根据权利要求12所述的光刻装置，其中：
所述光刻装置被配置为执行多次成像曝光，在所述多次成像曝光期间，所述辐射束入射到所述图案形成装置上，并且在所述多次成像曝光期间，所述图案化的辐射束被投影到所述衬底上，所述静电夹具被配置为在所述成像曝光期间夹持所述图案形成装置；以及
在所述多次成像曝光中的连续成像曝光之间，所述静电夹具被配置为从所述第一激发状态转变为所述第二激发状态。
14.一种光刻系统，包括根据权利要求13所述的光刻装置，所述光刻系统还包括被配置为生成所述辐射束的辐射源，其中用于生成自由电荷的所述机构包括次级电离辐射源，所述次级电离辐射源选自由以下各项组成的组：EUV源、VUV源、软X射线源和放射源。
15.一种光刻系统，包括根据权利要求13所述的光刻装置，所述光刻系统还包括被配置为生成所述辐射束的辐射源，其中用于生成自由电荷的所述机构包括所述辐射源。
16.根据权利要求15所述的光刻系统，其中所述光刻系统还被配置为执行至少一次非成像曝光，在所述至少一次非成像曝光期间，所述辐射束入射到所述图案形成装置上，并且在所述至少一次非成像曝光期间，没有辐射被投影到所述衬底上；所述非成像曝光在所述多次成像曝光中的连续成像曝光之间被执行。
17.根据权利要求16所述的光刻系统，其中从所述静电夹具的所述第一激发状态到所述静电夹具的所述第二激发状态的所述转变在所述非成像曝光期间被执行。
18.根据权利要求17所述的光刻系统，其中所述光刻系统被控制为：使得与在所述非成像曝光期间相比，在每次成像曝光期间入射到所述图案形成装置上的辐射量更大。
19.根据权利要求18所述的光刻系统，其中入射到所述图案形成装置上的辐射量从非成像曝光到所述多次成像曝光中的一次成像曝光逐渐增加。
20.一种操作装置的方法，所述装置包括静电夹具和用于邻近所述静电夹具生成自由电荷的机构，所述方法包括：
控制所述静电夹具以具有第一激发状态；
控制所述静电夹具以具有第二激发状态；以及
在从所述第一激发状态到所述第二激发状态的转变期间，控制用于生成自由电荷的所述机构，以邻近所述静电夹具生成自由电荷。
21.一种光刻装置，包括：
照射系统，被配置为调节辐射束；
支撑结构，被构造为支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在所述辐射束的横截面中向所述辐射束赋予图案，以形成图案化的辐射束，所述支撑结构包括被配置为夹持所述图案形成装置的静电夹具；
衬底台，被构造为保持衬底；以及
投影系统，被配置为将所述图案化的辐射束投影到所述衬底上；
其中：
所述光刻装置被配置为执行成像前曝光，在所述成像前曝光期间，所述辐射束入射到所述图案形成装置上，并且在所述成像前曝光期间，没有辐射被投影到所述衬底上，其中在所述成像前曝光期间，入射到所述图案形成装置上的辐射量逐渐增加；以及
所述光刻装置被配置为执行成像曝光，在所述成像曝光中，由所述图案形成装置图案化的所述辐射束被投影到所述衬底上。
22.根据权利要求21所述的光刻装置，其中所述成像前曝光包括突发，所述突发包括多个辐射脉冲。
23.根据权利要求22所述的光刻装置，其中在所述成像前曝光期间的辐射量的所述逐渐增加被配置为在多个所述辐射脉冲上被提供。
24.根据权利要求23所述的光刻装置，其中在所述成像前曝光期间的辐射的所述逐渐增加被配置为在至少1000个辐射脉冲上被提供。
25.根据权利要求22至24中任一项所述的光刻装置，其中在所述成像前曝光期间的辐射的所述逐渐增加被配置为在多个所述辐射脉冲上基本线性地被提供。
26.根据权利要求21至25中任一项所述的光刻装置，其中在所述成像前曝光的具有预定持续时间的第一部分期间，所述辐射束被控制以将第一剂量的辐射传递到所述图案形成装置，所述第一剂量包括低于在所述成像曝光的第一部分期间传递到所述图案形成装置的成像辐射剂量的约10％的剂量，所述成像前曝光的所述第一部分具有所述预定持续时间。
27.根据权利要求26所述的光刻装置，其中入射到所述图案形成装置上的辐射量从所述成像前曝光的所述第一部分到所述成像曝光逐渐增加。
28.根据权利要求26或27所述的光刻装置，其中至少1000个辐射脉冲在所述成像前曝光的所述第一部分的开始与所述成像曝光的开始之间被传递。
29.根据权利要求21至28中任一项所述的光刻装置，还被配置为执行第一成像曝光和第二成像曝光，其中：
所述成像前曝光紧接在所述第二成像曝光之前；以及
在所述第一成像曝光与所述成像前曝光之间，所述光刻装置还被配置为执行非成像曝光，在所述非成像曝光期间，所述辐射束入射到所述图案形成装置上，并且在所述非成像曝光期间，没有辐射被投影到所述衬底上。
30.根据从属于权利要求26的权利要求29所述的光刻装置，其中在所述非成像曝光的具有所述预定持续时间的第一部分期间，所述辐射束被控制以将第三剂量的辐射传递到所述图案形成装置，所述第三剂量包括低于所述成像辐射剂量的约10％的剂量，所述装置被配置为引起所述静电夹具在所述非成像曝光期间从第一激发状态转变为第二激发状态。
31.根据权利要求21至29中任一项所述的光刻装置，还被配置为引起所述静电夹具在所述成像前曝光期间从第一激发状态转变为第二激发状态。
32.一种光刻系统，包括根据权利要求21至31中任一项所述的光刻装置，所述光刻系统还包括被配置为生成所述辐射束的辐射源。
33.一种操作光刻装置的方法，所述光刻装置包括：
照射系统，被配置为调节辐射束；
支撑结构，被构造为支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在所述辐射束的横截面中向所述辐射束赋予图案，以形成图案化的辐射束，所述支撑结构包括被配置为夹持所述图案形成装置的静电夹具；
衬底台，被构造为保持衬底；以及
投影系统，被配置为将所述图案化的辐射束投影到所述衬底上；
所述方法包括：
引起所述光刻装置执行成像前曝光，在所述成像前曝光期间，所述辐射束入射到所述图案形成装置上，并且在所述成像前曝光期间，没有辐射被投影到所述衬底上，其中在所述成像前曝光期间，入射到所述图案形成装置上的辐射量逐渐增加；以及
引起所述光刻装置执行成像曝光，在所述成像曝光中，由所述图案形成装置图案化的所述辐射束被投影到所述衬底上。
34.一种装置，包括用于夹持一组件的静电夹具和用于邻近所述静电夹具生成自由电荷的机构，所述装置具有第一配置和第二配置，在所述第一配置中，组件被所述静电夹具夹持，在所述第二配置中，所述组件与所述静电夹具间隔开，其中：
所述装置被配置为在第一时间点处于所述第一配置并且在所述第一时间点之后的第二时间点处于所述第二配置；以及
用于生成自由电荷的所述机构被配置为：在所述第一时间点与所述第二时间点之间的第三时间点，邻近所述静电夹具和/或所述组件生成自由电荷。
35.根据权利要求34所述的装置，其中用于生成自由电荷的所述机构被配置为：邻近所述静电夹具和/或所述组件，生成自由电荷，以防止所述静电夹具与所述组件之间的电势差超过预定阈值。
36.根据权利要求35所述的装置，其中所述预定阈值基于所述装置中的压力而被确定。
37.根据权利要求36所述的装置，其中所述第三时间点被选择，以防止所述静电夹具与所述组件之间的电势差超过所述预定阈值。
38.根据权利要求35至37中任一项所述的装置，其中所述预定阈值为约250伏。
39.根据权利要求34至38中任一项所述的装置，其中所述装置被配置为在所述第三时间点处于所述第二配置。
40.根据权利要求34至39中任一项所述的装置，其中在所述第三时间点，所述夹具的表面与所述组件的表面之间的最小间隔大于约10微米。
41.根据权利要求34至40中任一项所述的装置，其中在所述第三时间点，所述夹具的表面与所述组件...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·A·范德凯克霍夫，C·G·N·H·M·克洛因，A·M·亚库宁，A·尼基佩洛维，J·范杜文博德，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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