光刻装置制造方法及图纸

一种光刻装置的部件，该部件具有污染物捕获表面，该污染物捕获表面设置有凹部，该凹部被配置用于捕获污染物颗粒和减少DUV辐射的镜面反射。凹部可以具有小于或等于约2μm、理想地小于1μm的至少一个尺寸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年4月12日提交的欧洲申请18166991.2和于2018年7月19日提交的荷兰申请2021345的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及光刻装置。本专利技术特别但非排他地与EUV光刻装置和EUV光刻工具结合使用。
技术介绍
光刻装置是一种被构造成将期望的图案应用到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻装置可以例如将图案从图案形成装置(例如，掩模)投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。由光刻装置用来将图案投影到衬底上的辐射波长决定了可以在该衬底上形成的特征的最小尺寸。与使用DUV辐射(例如，波长为193nm)的光刻装置相比，使用EUV辐射(即，波长在4-20nm范围内的电磁辐射)的光刻装置可以用于在衬底上形成更小的特征。光刻装置中的图案形成装置上的灰尘或其他污染物可能特别麻烦，因为灰尘颗粒或其他污染物可能会被成像在所制造的每个器件上。如果对制成的图案的影响使该器件无法正常工作，则成品率将受到严重影响，直到可以清洁该图案形成装置。使光刻装置中、特别是在图案形成装置附近的污染最小化的措施是非常重要的。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供了一种光刻装置的部件，部件具有污染物捕获表面纹理，污染物捕获表面纹理设置有凹部，所述凹部被配置为捕获污染物颗粒并且减少DUV辐射(这是EUV形成中的假的成分)的镜面反射。在一个实施例中，凹部具有小于或等于大约2μm\理想地小于1μm的至少一个尺寸。根据本专利技术的第二方面，提供了一种制造用于光刻装置的污染物陷阱的方法，该方法包括：对光刻装置的部件的表面进行处理以形成凹部，凹部被配置为捕获污染物颗粒并且减少DUV辐射的镜面反射。根据本专利技术的第三方面，提供了根据本专利技术的部件在光刻装置中用于捕获污染物颗粒并且减少DUV辐射的镜面反射的用途。光刻装置可以是EUV光刻装置。根据本专利技术的第四方面，提供了一种表面纹理在光刻装置中用于捕获污染物颗粒并且减少DUV辐射的镜面反射的用途，表面纹理具有多个凹部，这些凹部的宽度小于或等于约2μm，并且深度大于或等于约1μm。光刻装置可以是EUV光刻装置。凹部的宽度可以小于1μm。凹部的深度可以大于或等于10μm。本专利技术的第一、第二、第三和第四方面使得能够捕获尺寸不小于凹部的宽度的颗粒。所捕获的颗粒的尺寸可以小于约1μm。本专利技术不同方面的特征可以与本专利技术其他方面的特征结合。附图说明现在将仅通过示例的方式，参考所附的示意图来描述本专利技术的实施例，在附图中：图1是包括光刻装置和辐射源的光刻系统的示意图；图2是通过图1的光刻装置的支撑结构上的物体和掩蔽叶片的第一横截面的示意图；图3是通过图1的光刻装置的支撑结构上的物体和掩蔽叶片的第二横截面的示意图；图4是示出第一配置的图1的光刻装置的y掩膜叶片和x掩膜叶片(虚线)的平面图；图5是示出第二配置的图1的光刻装置的y掩膜叶片和x掩膜叶片(虚线)的平面图；图6是可用于本专利技术的实施例的一种表面纹理的图像；图7是可用于本专利技术的实施例的另一表面纹理的图像；以及图8描绘了本专利技术的实施例的表面纹理中的槽。具体实施方式图1是光刻系统的示意图。光刻系统包括辐射源SO和光刻装置LA。辐射源SO被配置为生成极紫外(EUV)辐射束B。光刻装置LA包括照射系统IL、被配置为支撑图案形成装置MA的支撑结构MT、投影系统PS和被配置为支撑衬底W的衬底台WT。照射系统IL被配置为在辐射束B入射到图案形成装置MA上之前对辐射束B进行调节。投影系统被配置为将辐射束B(现在由图案形成装置MA图案化)投射到衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻装置将图案化的辐射束B与预先形成在衬底W上的图案对准。辐射源SO、照射系统IL和投影系统PS都可以被构造和布置成使得它们可以与外部环境隔离。可以在辐射源SO中提供处于低于大气压的压力条件下的气体(例如，氢气)。可以在照射系统IL和/或投影系统PS中提供真空。可以在照射系统IL和/或投影系统PS中提供远低于大气压的压力条件下的少量气体(例如，氢气)。图1所示的辐射源SO是可以称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。布置例如可以是CO2激光器的激光器1，以通过激光束2将能量沉积到燃料(诸如从燃料发射器3提供的锡(Sn))中。尽管在下面的描述中引用锡，但是可以使用任何合适的燃料。燃料可以例如是液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器3可以包括喷嘴，该喷嘴被配置为以例如液滴的形式沿着朝向等离子体形成区域4的轨迹引导锡。激光束2在等离子体形成区域4处入射到锡上。激光能量到锡中的沉积在等离子体形成区域4处产生等离子体7。在等离子体的离子的去激励和复合期间，从等离子体7发出包括EUV辐射在内的辐射。EUV辐射通过接近法向入射的辐射收集器5(有时更一般地称为法向入射辐射收集器)收集和聚焦。收集器5可以具有被布置成反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm等期望波长的EUV辐射)的多层结构。收集器5可以具有椭圆配置，该椭圆配置带有两个椭圆焦点。如下所述，第一焦点可以在等离子体形成区域4处，而第二焦点可以在中间焦点6处。在激光产生等离子体(LPP)源的其他实施例中，收集器5可以是所谓的掠入射收集器，掠入射收集器被配置为接收掠入射角的EUV辐射并且将EUV辐射聚焦在中间焦点处。掠入射收集器可以是例如嵌套收集器，其包括多个掠入射反射器。掠入射反射器可以绕光学轴线O轴向对称地布置。辐射源SO可以包括一个或多个污染物陷阱(未示出)。例如，污染物陷阱可以位于等离子体形成区域4与辐射收集器5之间。污染物陷阱可以例如是旋转箔收集器，或者可以是任何其他合适形式的污染物陷阱。激光器1可以与辐射源SO分离。在这种情况下，可以借助于光束传输系统(未示出)将激光束2从激光器1传递到辐射源SO，该光束传输系统包括例如合适的导向镜和/或扩束器、和/或其他光学器件。激光器1和辐射源SO可以一起被看作是辐射系统。被收集器5反射的辐射形成辐射束B。辐射束B在点6处聚焦以形成等离子体形成区域4的图像，该等离子体形成区域4用作照射系统IL的虚拟辐射源。辐射束B在此聚焦的点6可以被称为中间焦点。辐射源SO被布置成使得中间焦点6位于辐射源的封闭结构9中的开口8处或附近。辐射束B从辐射源SO进入照射系统IL，该照射系统IL被配置为调节辐射束。照射系统IL可以包括琢面场反射镜器件10和琢面光瞳反射镜器件11。琢面场反射镜器件10和琢面光瞳反射镜器件11一起为辐射束B提供期望的横截面形状和期望的角度分布。辐射束B从照射系统IL穿过并且入射到由支撑结构MT保持的图案形成装置MA上。图案形成装置MA(例如，可以是掩模)反射并且图案化辐射束B。除了或代替琢面场反射镜器件10和琢面光瞳反射镜器件11，照射系统IL可以包括其他反射镜或器件。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻装置的部件，所述部件具有污染物捕获表面纹理，所述污染物捕获表面纹理被设置有凹部，所述凹部被配置用以捕获污染物颗粒并且减少DUV辐射的镜面反射。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180412 EP 18166991.2;20180719 NL 20213451.一种光刻装置的部件，所述部件具有污染物捕获表面纹理，所述污染物捕获表面纹理被设置有凹部，所述凹部被配置用以捕获污染物颗粒并且减少DUV辐射的镜面反射。


2.根据权利要求1所述的部件，其中所述凹部具有小于或等于大约2μm、理想地小于1μm的至少一个尺寸。


3.根据权利要求2所述的部件，其中所述凹部是伸长的，并且所述至少一个尺寸是所述凹部在所述捕获表面的平面中的宽度。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的部件，其中所述纹理包括具有大于或等于约10的长宽比的多个凹部，所述长宽比被定义为所述凹部的平均深度与所述凹部在所述表面的平面中的平均宽度之比。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的部件，其中所述纹理包括多个凹部，所述多个凹部的最大深度大于约1μm、期望地大于约10μm。


6.根据前述权利要求中任一项所述的部件，其中所述污染物捕获表面对于波长在100nm至300nm范围内的辐射的反射率小于约20％。


7.根据前述权利要求中任一项所述的部件，其中所述污染物捕获表面包括导电的基础层和设置在所述基础层上的绝缘层。


8.根据权利要求7所述的部件，其中所述导电的基础层连接到电接地。

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【专利技术属性】
技术研发人员：M·A·范德凯克霍夫，J·H·J·穆尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL