【技术实现步骤摘要】
基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护方法及装置
本专利技术属于半导体装备
，具体地说，涉及基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护方法及装置。
技术介绍
光刻机双工件台通过工件台承载硅片，在不同位置对硅片进行曝光操作。双工件台包括粗动台以及位于所述粗动台上方的微动台，承载硅片的微动台具有三个自由度，能够在X、Y、Z三个方向运动。为完成对硅片的曝光，在微动台上方安装有物镜。在硅片加工过程中，微动台会承载硅片首先在X、Y方向移动以到达曝光场，然后在Z方向移动以正确对焦。由于在自动控制过程中会产生超调，微动台可能在对焦过程中在Z方向运动过量而与物镜相撞，损坏设备。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对在工件台曝光过程中，微动台在Z向运动时可能超调，与物镜相撞，导致设备损坏的问题，提出了一种基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护算法。本专利技术的技术方案如下：一种基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护方法，双工件台运动系统包括粗动台以及位于所述粗动台上方的微动台，所述粗动台和微动台都为平面四方形，...
【技术保护点】
1.一种基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护方法，其特征在于，双工件台运动系统包括粗动台以及位于所述粗动台上方的微动台，所述粗动台和微动台都为平面四方形，所述垂向保护方法包括：/n以微动台的初始位置的上表面的一点为原点O，建立空间直角坐标系O-XYZ，其中，X轴、Y轴为水平方向，Z轴沿垂直方向向上，所述微动台具有X、Y、Z三个方向的自由度，其中，在粗动台下表面的四角区域分别设置有垂向位移传感器，每一垂向位移传感器用于测量微动台的下表面与粗动台之间的垂向距离，还设置有用于测量微动台X、Y方向的位移的水平位移测量机构；/n根据垂向位移传感器和水平位移测量机构的数据得出各个被测量...
【技术特征摘要】
1.一种基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护方法，其特征在于，双工件台运动系统包括粗动台以及位于所述粗动台上方的微动台，所述粗动台和微动台都为平面四方形，所述垂向保护方法包括：
以微动台的初始位置的上表面的一点为原点O，建立空间直角坐标系O-XYZ，其中，X轴、Y轴为水平方向，Z轴沿垂直方向向上，所述微动台具有X、Y、Z三个方向的自由度，其中，在粗动台下表面的四角区域分别设置有垂向位移传感器，每一垂向位移传感器用于测量微动台的下表面与粗动台之间的垂向距离，还设置有用于测量微动台X、Y方向的位移的水平位移测量机构；
根据垂向位移传感器和水平位移测量机构的数据得出各个被测量点的坐标；
利用被测量点的坐标得到微动台下表面在空间直角坐标系O-XYZ中的点法式方程f(X，Y，Z)＝0；
在各个被测量点对应的测量值中取最大值hmax对应的被测量点的最邻近角点作为微动台下表面最高点，结合所述点法式方程f(X，Y，Z)＝0得到当前时刻微动台下表面最高点Z轴坐标hb；
根据微动台下表面最高点Z轴坐标hb得到微动台上表面最高点Z轴坐标hu，将hu与高度阈值对比，若超出高度阈值，则停机保护，否则所述系统继续运行。
2.根据权利要求1所述的基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护方法，其特征在于，在将hu与高度阈值对比后，若不超出高度阈值，则将当前时刻的微动台上表面最高点Z轴坐标hu与上一时刻的微动台上表面最高点Z轴坐标hu做差除以采样周期，得到瞬时速度v，将瞬时速度与速度阈值对比，若超出速度阈值，则停机保护，否则所述系统继续运行。
3.根据权利要求1所述的基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护方法，其特征在于，原点O位于微动台的初始位置的上表面中心，X轴、Y轴分别与粗动台长、宽两边平行。
4.根据权利要求1所述的基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护方法，其特征在于，所述垂向位移传感器为电涡流传感器。
5.根据权利要求1所述的基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护方法，其特征在于，根据微动台下表面最高点Z轴坐标hb得到微动台上表面最高点Z轴坐标的公式如下：
其中，ez为Z轴单位向量；
b为微动台厚度；
|n|为范数。
6.根据权利要求1所述的基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护方法，其特征在于，利用被测量点的坐标得到微动台下表面在空间直角坐标系O-XYZ中的点法式方程f(X，Y，Z)＝0的方法是：
利用被测量点的坐标生成一...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨开明，成荣，朱煜，张鸣，雷声，刘涛，鲁森，李鑫，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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