【技术实现步骤摘要】
电容器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种电容器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以及提高它的速度来实现的。在现今的超大规模集成电路中，电容器是常用的无源器件。通常来讲，模拟电容器已经从多晶硅-绝缘体-多晶硅(Polysilicon-Insulator-Polysilicon，简称PIP)转向金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal，简称MIM)，这是因为在模拟射频电路中，需要更大电容密度的电容器。提高电容密度的方法之一是降低电介质的厚度。然而，现有技术中绝缘体两侧的金属之间容易发生连接，导致漏电增大和可靠性下降。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种电容器件及其形成方法，以提高电容器件的可靠性。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种电容器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区；在所述基底第一区表面和第二区表面形成第一导电层；在所...
【技术保护点】
1.一种电容器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区；/n在所述基底第一区表面和第二区表面形成第一导电层；/n在所述第一导电层表面形成电介质层；/n在所述电介质层表面形成第二导电膜；/n去除第一区上的第二导电膜并暴露出第一区上的电介质层，在第二区上的电介质层表面形成第二导电层；/n在所述电介质层暴露出的表面、以及第二导电层侧壁和顶部表面形成第一介质层；/n在所述第一区上的第一介质层内形成第一插塞，所述第一插塞和第一导电层表面接触。/n
【技术特征摘要】
1.一种电容器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区；
在所述基底第一区表面和第二区表面形成第一导电层；
在所述第一导电层表面形成电介质层；
在所述电介质层表面形成第二导电膜；
去除第一区上的第二导电膜并暴露出第一区上的电介质层，在第二区上的电介质层表面形成第二导电层；
在所述电介质层暴露出的表面、以及第二导电层侧壁和顶部表面形成第一介质层；
在所述第一区上的第一介质层内形成第一插塞，所述第一插塞和第一导电层表面接触。
2.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，包括：在形成所述第二导电层之后，形成第一介质层之前，刻蚀暴露出的部分电介质层，在第一区上形成第一电介质材料层，在第二区上形成第二电介质材料层，且第一电介质材料层的厚度小于第二电介质材料层的厚度。
3.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二导电层的方法包括：在所述第二导电膜表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出第一区上的第二导电膜表面；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二导电膜，形成所述第二导电层。
4.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，还包括：在第二导电层内形成第一开口，所述第一开口暴露出第二区上的电介质层。
5.如权利要求4所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第一开口在去除第一区上的第二导电膜并形成第二导电层时形成。
6.如权利要求2所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第一电介质材料层具有第一厚度，所述第二电介质材料层具有第二厚度，且所述第一厚度是第二厚度的10％～50％。
7.如权利要求1或者2所述的电容器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二导电膜表面形成第二介质膜；在形成第二导电层之前，刻蚀去除第一区上的第二介质膜，形成位于第二导电层表面的第二介质层。
8.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述第二导电层之后，形成第一介质层之前，在所述电介质层暴露出的表面、以及第二导电层侧壁和顶部表面形成第三介质层；所述第一介质层位于所述第三介质层表面。
9.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述第一介质层之后，在所述第二区上的第一介质层内形成第二插塞，所述第二插塞和第二导电层表面接触。
10.如权利要求9所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第一插塞和第二插塞的形成方法包括：在所述第一介质层表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出第一区上...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡连峰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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