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一种电容器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区；在所述基底第一区表面和第二区表面形成第一导电层；在所述第一导电层表面形成电介质层；在所述电介质层表面形成第二导电膜；去除第一区上的第二导电膜并暴露出第一区上...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。