一种电容器的制造方法及结构技术

本发明专利技术提供一种电容器的制造方法及结构，该方法包括步骤：在衬底上采用等离子体刻蚀法，利用偏置脉冲和源脉冲的交替互补作用刻蚀形成具有粗糙侧壁的沟槽；在沟槽内形成介电层，所述介电层共形的内衬于沟槽的内表面；以及在沟槽内形成导电层，所述导电层填充于沟槽内部并通过介电层与衬底分离；其中，在刻蚀沟槽时，偏置脉冲交替的开启和关闭，以控制交替产生偏置功率，源脉冲保持开启，并且根据偏置功率的变化调整源脉冲的功率进行补偿。本发明专利技术利用偏置脉冲和源脉冲的交替互补作用形成了侧壁粗糙的电容沟槽，使沟槽侧壁在沟槽深度方向上具有交替的凸凹起伏，可增加电容面积，从而提高电容器的电容密度，且方法简单，易于实现。

【技术实现步骤摘要】
一种电容器的制造方法及结构
本专利技术涉及半导体器件领域，特别是涉及一种电容器的制造方法及结构。
技术介绍
硅电容器是一种基于硅衬底制造的器件，它提高了复杂电子电路的集成度。然而，为了减少半导体衬底面积的消耗，还需要继续提高硅电容器的电容密度，即每个单元半导体衬底面积的电容。一种现有的方法是扩大电极的覆盖范围。公开号为US8283750B2的美国专利Electronicdevicehavingelectrodewithhighareadensityandimprovedmechanicalstability公开了一种沟槽电容器，该电容器基于一种形成于衬底的沟槽，在这些沟槽中形成有电容层堆栈，并设有一个从沟槽底部一直延伸到基板表面的支柱。为了提高力学稳定性，电元件主要通过支柱交叉垂直来延伸支柱的长度。这类沟槽型电容器为了增加电容，通过深沟槽和收缩临界尺寸改变电容，或者在沟槽中形成沟槽交叉堆栈，以增加电极覆盖面积。此外，一种在硅衬底上形成的三维单元(3D-cell)电容器也可以实现较高的电容器密度。例如，公开号为US9647057B本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一衬底；/n在所述衬底上采用等离子体刻蚀法，利用偏置脉冲和源脉冲的交替互补作用刻蚀形成具有粗糙侧壁的沟槽；/n在所述沟槽内形成介电层，所述介电层共形的内衬于所述沟槽的内表面；以及/n在所述沟槽内形成导电层，所述导电层填充于所述沟槽内部并通过所述介电层与所述衬底分离；/n其中，在刻蚀所述沟槽时，所述偏置脉冲交替的开启和关闭，以控制交替产生偏置功率，所述源脉冲保持开启，并且根据所述偏置功率的变化调整所述源脉冲的功率进行补偿。/n

【技术特征摘要】
1.一种电容器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上采用等离子体刻蚀法，利用偏置脉冲和源脉冲的交替互补作用刻蚀形成具有粗糙侧壁的沟槽；
在所述沟槽内形成介电层，所述介电层共形的内衬于所述沟槽的内表面；以及
在所述沟槽内形成导电层，所述导电层填充于所述沟槽内部并通过所述介电层与所述衬底分离；
其中，在刻蚀所述沟槽时，所述偏置脉冲交替的开启和关闭，以控制交替产生偏置功率，所述源脉冲保持开启，并且根据所述偏置功率的变化调整所述源脉冲的功率进行补偿。


2.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于：所述偏置脉冲关闭时，增大所述源脉冲的功率作为补偿，所述偏置脉冲开启时，减小所述源脉冲的功率。


3.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于：在刻蚀所述沟槽时，所述偏置脉冲周期性的开启和关闭。


4.根据权利要求3所述的电容器的制造方法，其特征在于：所述偏置脉冲开关循环的频率为每秒1-500次。


5.根据权利要求3所述的电容器的制造方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，徐若男，孙武，尹晓明，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37