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本发明提供一种电容器的制造方法及结构，该方法包括步骤：在衬底上采用等离子体刻蚀法，利用偏置脉冲和源脉冲的交替互补作用刻蚀形成具有粗糙侧壁的沟槽；在沟槽内形成介电层，所述介电层共形的内衬于沟槽的内表面；以及在沟槽内形成导电层，所述导电层填充于...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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