【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在玻璃芯基板上的集成磁芯电感器优先权的要求本申请要求在2018年6月29日提交的、题为“INTEGRATEDMAGNETICCOREINDUCTORSONGLASSCORESUBSTRATES”的、美国专利申请序列号16/024,593的优先权，并且所述美国专利申请通过引用以其整体被并入。
技术介绍
集成电压调节器（IVR）技术是一种高效的管芯和封装架构，其用于管理微处理器所包含的各种功能所需要的不同电压。当前，微处理器封装中的IVR实现，诸如完全集成的电压调节器（FIVR）拓扑，依赖于空芯电感器。通常，空芯电感器在管芯外（off-die），在邻近微处理器管芯的封装电介质上或嵌入在所述封装电介质内。行业趋势和市场压力正迫使芯片制造商减少关于后续的微处理器世代的封装占用面积。嵌入式电感器的空间也减小了，从而导致电感器性能下降。特别地，越来越紧凑的空芯电感器的电感随着世代相传而减小，从而导致品质因数下降（电感器磁场中存储的能量与电感器绕组中的电阻损耗所耗散的能量的比率）。结果，IVR的整体效率随着损耗的增加而变差。附图说明
【技术保护点】
1.一种微电子封装，包括：/n封装芯；/n在封装芯之上的电感器结构，其中所述电感器结构包括：/n岛，包括在封装芯之上的电介质，其中，该岛具有在封装芯上方延伸的z高度、沿封装芯在第一方向上延伸的长度以及沿封装芯在第二方向上延伸的宽度，其中第二方向与第一方向正交；/n围绕所述电介质的磁性包层，其中，磁性包层具有在封装芯上方覆盖电介质的第一部分和在电介质下方沿封装芯延伸的第二部分；和/n至少一个导电迹线，在所述电介质内并且沿着所述岛的长度在所述磁性包层的第二部分之上延伸。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180629 US 16/0245931.一种微电子封装，包括：
封装芯；
在封装芯之上的电感器结构，其中所述电感器结构包括：
岛，包括在封装芯之上的电介质，其中，该岛具有在封装芯上方延伸的z高度、沿封装芯在第一方向上延伸的长度以及沿封装芯在第二方向上延伸的宽度，其中第二方向与第一方向正交；
围绕所述电介质的磁性包层，其中，磁性包层具有在封装芯上方覆盖电介质的第一部分和在电介质下方沿封装芯延伸的第二部分；和
至少一个导电迹线，在所述电介质内并且沿着所述岛的长度在所述磁性包层的第二部分之上延伸。
2.根据权利要求1所述的微电子封装，其中，所述岛具有在所述封装芯上方的非平面表面，其中，所述非平面表面沿着所述岛的长度延伸。
3.根据权利要求2所述的微电子封装，其中，所述非平面表面是弯曲的凸表面。
4.根据权利要求2或3所述的微电子封装，其中，所述岛具有沿着所述岛的长度延伸的半圆柱形形状。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的微电子封装，其中，所述磁性包层覆盖所述非平面表面。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的微电子封装，其中，所述电介质是第一电介质，其中，所述磁性包层包括第一膜和在所述第一膜之上的第二膜，并且其中，所述第一膜包括磁性材料，并且第二膜包括第二电介质。
7.根据权利要求6所述的微电子封装，其中，所述第二电介质包括铝、钛、钽、钼、硅、氮或氧中的至少一个。
8.根据权利要求6所述的微电子封装，其中，所述磁性包层包括在所述第二膜之上的所述第一膜的重复层。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的微电子封装，其中，所述磁性材料包括以下各项中的至少一个：铁、镍、钴、钼、锰、铜、钒、铟、铝、镓、硅、锗、锡、锑、锆、钽、钴-锆-钽合金、钼金属、坡莫合金、铁氧体、Heusler化合物、钕、钐、镱、钆、铽或镝。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的微电子封装，其中，所述电介质是包括聚合物和光活性化合物的光致抗蚀剂材料。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的微电子封装，其中，所述封装芯是玻璃板，其包括以下中的至少一个：包括钠或钙的钠钙玻璃、包括硼或熔融石英玻璃的硼硅酸盐玻璃。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的微电子封装，其中，所述封装芯是包括硅、氮化硅、碳化硅、氮化镓或氧化铝中的至少一个的单晶晶片。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的微电子封装，其中，所述封装芯具有100nm或更小的平均表面粗糙度。
14.根据权利要求1至13中任一项中任一项所述的微电子封装，其中，所述电感器结构在第三电介质内，其中，所述第三电...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·巴拉斯，A·埃尔舍比尼，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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