QFN射频芯片封装制造技术

本发明专利技术作为由包括匹配电路或无源器件的周边电路芯片、射频芯片及安装所述周边电路芯片和所述射频芯片的QFN基片构成的射频芯片封装，提供一种射频芯片封装，其在所述QFN基片的边缘区域形成有垫板，在未形成有所述垫板的中央的一部分区域形成有ロ凹陷形状的空腔，在所述QFN基片的空腔安装所述射频芯片，所述周边电路芯片的垫板中一部分与所述QFN基片的垫板重叠地配置，并通过导电体物质的连接销电性连接，所述周边电路芯片的垫板中另一部分与所述射频芯片的垫板重叠地配置，并通过所述导电体物质的连接销电性连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】QFN射频芯片封装
本专利技术涉及QFN射频芯片封装，更详细地，涉及一种在射频芯片与周边电路芯片之间存在阶梯差时，在QFN基片预先形成形状的空腔，在上述的空腔安装射频芯片，并通过连接销将周边电路芯片的垫板与射频芯片的垫板电性连接，从而，能够有效地抑制在射频芯片与周边电路芯片之间的阶梯差而发生的副作用的QFN射频芯片封装。
技术介绍
因信息通信技术(ICT，InformationandCommunicationsTechnologies)技术的扩散，以往在室外空间进行的各种活动逐渐地在室内进行。因此，在日常生活中室内空间所占据的比率逐渐增加，并且，导航仪等以室外空间为对象提供的服务逐渐以室内空间为对象进行扩张。为了满足上述的服务需求，提供一种具有高性能的射频(RF；RadioFrequency)产品。如上述地，为了提供高性能，射频产品需在一个封装内配置包括匹配电路或无源器件的周边电路芯片和射频芯片后焊接。并且，为了射频产品的高密度化，逐步形成采用方形扁平无引脚(QFN，QuadFlatNon-leaded)封装的趋势。并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QFN射频芯片封装，由包括匹配电路或无源器件的周边电路芯片、射频芯片及安装所述周边电路芯片和所述射频芯片的QFN基片构成的射频芯片封装，其特征在于，/n在所述QFN基片的边缘区域形成有垫板，在未形成有所述垫板的中央的一部分区域形成有

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180323 KR 10-2018-00337011.一种QFN射频芯片封装，由包括匹配电路或无源器件的周边电路芯片、射频芯片及安装所述周边电路芯片和所述射频芯片的QFN基片构成的射频芯片封装，其特征在于，
在所述QFN基片的边缘区域形成有垫板，在未形成有所述垫板的中央的一部分区域形成有形状的空腔，
所述QFN基...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相动，
申请(专利权)人：炜宝皮亚股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR