【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】BAW谐振器、RF滤波器、多路复用器、以及制造BAW谐振器的方法
本专利技术涉及具有改善的电声特性BAW谐振器，例如，用于移动通信设备的RF滤波器。
技术介绍
需要移动通信设备中的RF滤波器以将期望RF信号与不期望RF信号分开。RF滤波器可以被实现为带通滤波器或带阻滤波器。为了使RF滤波器具有良好性能，例如，通带中的低插入损耗而通带外的高抑制水平，对应谐振器应当具有高品质因数并且很好地抑制了杂散模式。进一步地，谐振器应当可以以节省成本的方式来制造，并且应当在机械和电气上均稳固以提供高功率能力。电声谐振器可以建立为BAW谐振器。在BAW谐振器中，压电材料夹置在底部电极与顶部电极之间。为了防止声能在载体基板中耗散，声镜(SMR型谐振器，SMR＝固体装配型谐振器)可以布置在底部电极与载体基板之间，或空腔(FBAR型谐振器，FBAR＝薄膜体声谐振器)可以布置在谐振器的底部电极下方。为了抑制横向模式，可以在层堆叠的顶部电极上布置框架结构。然而，在已知BAW谐振器中，减少杂散模式的装置增加了制造成本以及制造步骤的...
【技术保护点】
1.一种BAW谐振器，包括：/n-底部电极层，具有底部电极/n-顶部电极层，具有顶部电极，位于所述底部电极层上方，/n-压电层，具有第一压电材料和第二压电材料，/n其中/n-所述第一压电材料和所述第二压电材料具有不同的压电极性，/n-所述第一压电材料的第一段被布置在所述第二压电材料的第一段与所述第二压电材料的第二段之间。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180329 DE 102018107602.91.一种BAW谐振器，包括：
-底部电极层，具有底部电极
-顶部电极层，具有顶部电极，位于所述底部电极层上方，
-压电层，具有第一压电材料和第二压电材料，
其中
-所述第一压电材料和所述第二压电材料具有不同的压电极性，
-所述第一压电材料的第一段被布置在所述第二压电材料的第一段与所述第二压电材料的第二段之间。
2.根据前述权利要求所述的BAW谐振器，其中所述第二压电材料是横向能量屏障。
3.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述第二压电材料被提供以生成干扰信号。
4.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述第一压电材料和所述第二压电材料具有相反的极性。
5.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述第二压电材料终止所述谐振器的所述有效区域。
6.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述第一压电材料包括单个框架的段或其中一个框架嵌套在另一框架中的两个或更多个框架的段。
7.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，包括所述第一压电材料的段或所述第二压电材料的段，其中所述压电材料的高度与所述有效区域中的所述压电层的所述厚度不同。
8.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，还包括生长层，所述生长层在所述底部电极层与所述压电层之间。
9.根据前述权利要求所述的BAW谐振器，其中所述生长层与所述压电层之间的所述界面具有所述第一压电材料下方的第一段以及所述第二压电材料下方的第二段。
10.根据前述权利要求所述的BAW谐振器，其中所述第一段中的所述生长层包括选自氧化物、氮化物、Ru、R...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·艾格纳，M·希克，F·弗雷斯，C·许克，
申请(专利权)人：RF三六零欧洲有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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