【技术实现步骤摘要】
压电层双侧设置质量负载的体声波谐振器、滤波器及电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器、一种具有该谐振器的滤波器，以及一种电子设备。
技术介绍
电子器件作为电子设备的基本元素，已经被广泛应用，其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外，未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。薄膜体声波谐振器的结构主体为由电极-压电薄膜-电极组成的“三明治”结构，即两层金属电极层之间夹一层压电材料。通过在...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底；/n声学镜；/n底电极；/n顶电极；和/n压电层，设置在底电极与顶电极之间，/n其中：/n所述压电层的上侧与所述压电层的下侧分别设置有第一质量负载阵列和第二质量负载阵列。/n
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
所述压电层的上侧与所述压电层的下侧分别设置有第一质量负载阵列和第二质量负载阵列。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
第一质量负载阵列与第二负载阵列均以笛卡尔坐标排布。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
第一质量负载阵列与第二负载阵列的布置关系为一个阵列的至少一部分为另一个阵列的对应部分经至少一次平移后的阵列。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
第一质量负载阵列与第二负载阵列均以极坐标排布。
5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
第一质量负载阵列与第二负载阵列的布置关系为一个阵列的至少一部分为另一个阵列的对应部分经角度旋转后的阵列。
6.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
第一质量负载阵列与第二负载阵列的布置关系为互补阵列，在谐振器的俯视图中，第一质量负载阵列与第二负载阵列共同形成新阵列，第一质量负载阵列与第二质量负载阵列各自组成所述新阵列的不同组成部分。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
第一质量负载阵列与第二负载阵列中的一个阵列具有至少一个待填充单元，另一个阵列具有至少一个填充单元。
8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
所述待填充单元的形状为多边形、圆形、圆环形、多边环形、直线条形或折线条形中的一种或多种，所述至少一个填充单元的形状与所述至少一个待填充单元的形状对应。
9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述待填充单元的形状为多边形或多边环形；
所述待填充单元的所述多边形或多边环形的外部轮廓与谐振器的有效区域的形状相似。
10.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述待填充单元包括形状为直线条形的多个待填充单元。
11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
第一质量负载阵列与第二负载阵列均以笛卡尔坐标排布，所述多个待填充单元彼此平行间隔开；或者
第一质量负载阵列与第二负载阵列均以极坐标排布，所述多个待填充单元在周向方向上的端部彼此间隔开。
12.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
第一质量负载阵列和第二质量负载阵列中的一个阵列包括多个质量负载待填充点，所述第一质量负载阵列和第二质量负载阵列中的另一个阵列包括与所述多个质量负载待填充点位置对应的多...
【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，杨清瑞，张孟伦，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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