压电滤波器及其带外抑制改善方法、多工器、通信设备技术

本发明专利技术公开了一种改善压电滤波器带外抑制的方法，所述压电滤波器为梯形结构，每阶的梯形结构包含1个串联谐振器和1个并联谐振器，该方法包括：调节至少1阶的梯形结构中的串联谐振器和并联谐振器中的一层或多层的厚度，并且/或者，调节所有串联谐振器和/或并联谐振器的材料，从而使该梯形结构中的并联谐振器的高次寄生谐振对应的反谐振频率大于串联谐振器高次寄生谐振对应的谐振频率，或者二者之间的差值小于设定值。根据本发明专利技术的技术方案，通过调整谐振器中的层的厚度，使得并联谐振器的高次寄生谐振位置从远低于串联谐振器高次寄生谐振的位置，移动到与其相当甚至更高的位置，由此抑制或消除高次寄生谐振区的伪通带现象，从而提高滤波器的带外抑制性能。

【技术实现步骤摘要】
压电滤波器及其带外抑制改善方法、多工器、通信设备
本专利技术涉及滤波器
，特别地涉及一种压电滤波器及其带外抑制改善方法、多工器、通信设备。
技术介绍
近年来，移动通信行业蓬勃发展，5G逐渐开始走入人们的生活，以手机为代表的移动通信终端成为人们日常生活中必不可少的通信工具。随着频谱资源的日益拥挤，对终端的数据吞吐量和功耗要求越来越高我，这给射频前端电路的设计带来了巨大挑战。目前，能够满足通讯终端使用的小尺寸滤波类器件主要是压电滤波器，构成此类滤波器的谐振器主要包括：FBAR(FilmBulkAcousticResonator，薄膜体声波谐振器)，SMR(SolidlyMountedResonator，固态装配谐振器)，SAW(SurfaceAcousticWave，表面声波谐振器)。压电滤波器，相比常见的基于电磁波原理的滤波器，具有尺寸小，谐振器Q值高的特点。其中，FBAR和SMR又合称为BAW器件(BulkAcousticWave，体声波)。在2.5GHz～3.5GHz频率范围内，因为对制作SAW谐振器基础结构IDT(Interd本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善压电滤波器带外抑制的方法，所述压电滤波器为多阶的梯形结构，每阶的梯形结构包含1个串联谐振器和1个并联谐振器，其特征在于，该方法包括：/n调节至少1阶的梯形结构中的串联谐振器和并联谐振器中的一层或多层的厚度，并且/或者，调节所有串联谐振器和/或并联谐振器的材料，从而使该梯形结构中的并联谐振器的高次寄生谐振对应的反谐振频率大于串联谐振器高次寄生谐振对应的谐振频率，或者二者之间的差值小于设定值。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善压电滤波器带外抑制的方法，所述压电滤波器为多阶的梯形结构，每阶的梯形结构包含1个串联谐振器和1个并联谐振器，其特征在于，该方法包括：
调节至少1阶的梯形结构中的串联谐振器和并联谐振器中的一层或多层的厚度，并且/或者，调节所有串联谐振器和/或并联谐振器的材料，从而使该梯形结构中的并联谐振器的高次寄生谐振对应的反谐振频率大于串联谐振器高次寄生谐振对应的谐振频率，或者二者之间的差值小于设定值。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述谐振器中的层的厚度包含该层的质量负载的厚度。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述谐振器中的层包括：上、下电极，压电层，钝化层。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述该梯形结构中，并联谐振器的压电层厚度大于串联谐振器的压电层厚度。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对于所述该梯形结构中的并联谐振器和串联谐振器，下电极厚度相同或不同，上电极厚度不同。


6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑云卓，庞慰，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12