叉指电极结构及其制造方法和具有该结构的声表面波器件技术

公开了一种叉指电极结构，叉指电极结构被设置在衬底上，其中叉指电极结构中的叉指电极的末端被离子注入以形成掺杂部。还公开了一种声表面波器件，其包括以上叉指电极结构，声表面波器件为滤波器或谐振器。另外，还公开了一种用于制造叉指电极结构的方法，包括制备具有压电层的衬底；在衬底上制作叉指电极；以及对叉指电极进行离子注入以在叉指电极的末端形成掺杂部。通过在叉指电极末端进行离子注入形成掺杂部，在不变剂加权、不调整叉指电极厚度等前提下改善了电极末端的电场梯度变化，抑制寄生振荡，最终提升声表面波器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
叉指电极结构及其制造方法和具有该结构的声表面波器件
本申请实施例涉及通信器件领域，具体涉及一种叉指电极结构及其制造方法和具有该结构的声表面波器件。
技术介绍
近年来，移动通信的高速发展及对SAW器件的需求量越来越大，SAW器件是无线、纯无源器件，具有插入损耗低、带外抑制高、镜像衰减高、承载功率高、成本低以及小型化或微型化等优势。随着半导体工艺不断改进，SAW器件的工作频率从10MHz延伸到3GHz的范围。使得SAW在车辆交通管理、生物医药、工业自动化、智能电网、军火危险品的清点、环境检测等领域具有广泛应用。SAW器件采用半导体集成电路的工艺，在压电材料的基片上，蒸镀一定厚度的金属膜，结合光刻工艺并采用设计好的掩膜图案，使接收与发射端IDT结构沉积在基片上。其工作原理是：发射IDT可以通过逆压电效应，将电信号转换成声信号，而输出IDT再通过压电效应将接收到的声信号变成电信号将之输出，整个工作的过程也就是声电转换的过程。然而，在叉指电极的边缘位置往往是电场梯度变化最为强烈的地方，变化强烈的地方可等效为一个独立的声波激发源，声波激发源可引发寄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种叉指电极结构，所述叉指电极结构被设置在衬底上，其中，所述叉指电极结构中的叉指电极的末端被离子注入以形成掺杂部。/n

【技术特征摘要】
1.一种叉指电极结构，所述叉指电极结构被设置在衬底上，其中，所述叉指电极结构中的叉指电极的末端被离子注入以形成掺杂部。


2.根据权利要求1所述的叉指电极结构，其中，所述叉指电极包括电极本体以及覆盖在所述电极本体上的保护层，其中位于末端的所述电极本体和/或所述保护层被离子注入。


3.根据权利要求2所述的叉指电极结构，其中，所述保护层为钝化层和/或温度补偿层。


4.根据权利要求2所述的叉指电极结构，其中，所述离子注入中的离子为金属离子。


5.根据权利要求4所述的叉指电极结构，其中，所述金属离子的质量大于所述电极本体的金属离子。


6.根据权利要求1所述的叉指电极结构，其中，所述叉指电极结构包括多层叉指电极，并且所述多层叉指电极中的至少一层被离子注入形成所述掺杂部。


7.根据权利要求1-6中任一项所述的叉指电极结构，其中，所述叉指电极的边缘被离子注入以形成掺杂部。


8.一种声表面波器件，其包括权利要求1-7中任一项所述的叉指电极结构，其中，所述声表面波器件为滤波器或谐振器。


9.一种用于制造叉指电极结构的方法，其中，包括以下步骤：
S1，制备具有压电层的衬底；
S2，在所述衬底上制作叉指电极；以及
S3，对所述叉指电极进行离子注入以在所述叉指电极的末端形成掺杂部。


10.根据权利要求9所述的方法，其中，步骤S3具体包括以下子步骤：
S31，在所述衬底及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李林萍，盛荆浩，江舟，
申请(专利权)人：杭州见闻录科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33