一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法技术

本发明专利技术公开一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法，属于半导体器件技术领域，包括短基区、高阻区、阴极区和台面槽，台面槽的上方设有玻璃钝化层，短基区的外侧设有背面开槽区，背面开槽区内设有镓层，通过背面开槽以及槽内扩镓形成隔离墙，隔离墙和短基区同质，隔离墙和短基区同步形成，镓层扩散浓度和深度相同，使用镓作为导电介质，通过背面开槽加槽内扩镓形成隔离墙，扩散温度低，时间短，避免了常规的深结长时间高温扩散大大减少了工步，解决了现有技术中出现的问题。

A synchronous diffusion structure and method of silicon controlled isolation wall and short base region

【技术实现步骤摘要】
一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法
本专利技术一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法，属于半导体器件

技术介绍
现有技术中的可控硅隔离墙和短基区扩散结构如图1所示，隔离墙1是通过内部扩散杂质硼来实现，之后再进行短基区2扩散，此方法成本高，扩散时间长(高温1250-1270℃，180-220h)。使用硼源长时间高温扩散，温度高，时间长，既浪费了时间，又消耗了大量物料、电力等成本，同时长时间高温也对产品本身造成一定的缺陷和性能的降低。针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法，解决了现有技术中出现的问题。本专利技术所述的一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构，包括短基区、高阻区、阴极区和台面槽，台面槽的上方设有玻璃钝化层，短基区的外侧设有背面开槽区，背面开槽区内设有镓层，通过背面开槽以及槽内扩镓形成隔离墙，隔离墙和短基区同质，隔离墙和短基区同步形成，镓层扩散浓度和深度相同。本专利技术所述的一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散方法，包括以下步骤：步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构，其特征在于：包括短基区(2)、高阻区(3)、阴极区(4)和台面槽(6)，台面槽(6)的上方设有玻璃钝化层(5)，短基区(2)的外侧设有背面开槽区(7)，背面开槽区(7)内设有镓层，通过背面开槽以及槽内扩镓形成隔离墙(1)，隔离墙(1)和短基区(2)同质，隔离墙(1)和短基区(2)同步形成，镓层扩散浓度和深度相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构，其特征在于：包括短基区(2)、高阻区(3)、阴极区(4)和台面槽(6)，台面槽(6)的上方设有玻璃钝化层(5)，短基区(2)的外侧设有背面开槽区(7)，背面开槽区(7)内设有镓层，通过背面开槽以及槽内扩镓形成隔离墙(1)，隔离墙(1)和短基区(2)同质，隔离墙(1)和短基区(2)同步形成，镓层扩散浓度和深度相同。


2.一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散方法，应用于权利要求1所述的可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构，其特征在于：所述的方法包括以下步骤：
步骤1：氧化
首先进行干氧氧化，然后进行湿氧氧化，最后再进行干氧氧化；
步骤2：背面槽光刻
将步骤1中氧化后硅片涂上光刻胶，硅片置于单面光刻机上，将背面光刻版图形对准后，对硅片进行光刻曝光，完成后将硅片取出并放入显影石英缸内浸泡显影，用烘箱烘干；
步骤3：背面BOE腐蚀
BOE腐蚀液的组分为：去离子水：氟化铵：氢氟酸＝10ml：6g：3ml，腐蚀5-10min后待氧化层腐蚀完成后冲水，甩干；
步骤4：背面腐蚀槽
使用冰乙酸：氢氟酸：硝酸：＝1.5:3:10混合酸，温度-5-0℃，将硅片装入花篮中放入混合酸中自动腐蚀，腐蚀后取出，冲水，甩干...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿开远，
申请(专利权)人：济宁东方芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37