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本发明公开一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法，属于半导体器件技术领域，包括短基区、高阻区、阴极区和台面槽，台面槽的上方设有玻璃钝化层，短基区的外侧设有背面开槽区，背面开槽区内设有镓层，通过背面开槽以及槽内扩镓形成隔离墙，隔离墙和短基...
该专利属于济宁东方芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济宁东方芯电子科技有限公司授权不得商用。

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