【技术实现步骤摘要】
一种含超级结的3C-SiC外延结构
本技术属于半导体
，具体涉及一种含超级结的3C-SiC外延结构。
技术介绍
SiC作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，具有宽禁带宽度、高临界击穿场强、高热导率及高载流子饱和速率等特性。上述材料优势使得SiC功率半导体器件在新能源汽车、轨道交通、光伏、智能电网等中高耐压等级应用领域具有广阔的发展前景。SiC的一个显著特点是具有多种同质异型体，SiC的晶体结构按对称性可分为三大类型：立方、六方和菱形。4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC、15R-SiC等晶型是SiC众多同质异晶型结构中常见的几种。在SiC的同质异型体中，3C-SiC是唯一具有闪锌矿结构的半导体，称为β-SiC。而具有六方或菱形结构的同质异晶型，如：4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC，称为α-SiC。目前4H-SiC器件已经广泛应用于电动汽车领域，然而3C-SiC材料的潜力尚未挖掘。对比3C-SiC和4H-SiC材料特性，3C-SiC饱和电子漂移速度(2.5×107cm/s)是4H-SiC(2...
【技术保护点】
1.一种含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述含超级结的3C-SiC外延结构由下之上依次包括衬底、含超级结结构的N型外延层、3C-SiC外延层。/n
【技术特征摘要】
1.一种含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述含超级结的3C-SiC外延结构由下之上依次包括衬底、含超级结结构的N型外延层、3C-SiC外延层。
2.根据权利要求1所述的含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述含超级结结构的N型外延层的厚度为5～200μm。
3.根据权利要求1所述的含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述含超级结结构的N型外延层中，超级结结构沿N型外延层表面向下纵向布置。
4.根据权利要求2或3所述的含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述超级结结构的深度为5-195μm。
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【专利技术属性】
技术研发人员：左万胜，钮应喜，乔庆楠，刘洋，张晓洪，刘锦锦，袁松，史田超，史文华，钟敏，
申请(专利权)人：芜湖启迪半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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