竖直纳米线半导体装置和其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于纳米线半导体装置的制造方法。制造方法包括以下步骤：在衬底上形成晶种层；在晶种层上形成多层，第一导电层、半导体硅层以及第二导电层以所述次序沉积在多层中；使多层图案化以在衬底上形成竖直纳米线；通过热处理使纳米线结晶；形成覆盖纳米线的绝缘层；形成围绕由纳米线的半导体硅层界定的沟道区的栅极；以及形成电连接到栅极、第一导电层以及第二导电层的金属接垫。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】竖直纳米线半导体装置和其制造方法
本公开涉及一种Si纳米线半导体装置和其制造方法，且更特定来说，涉及一种使用竖直半导体纳米线的半导体装置和其制造方法。
技术介绍
高性能半导体提高电子产品的质量且带来成本效益。半导体装置需要具有高迁移率(mobility)和高可靠性(reliability)，特定来说，需要通过具有某些特性来减小特性分散(characteristicdispersion)。有源矩阵有机发光二极管(active-matrixorganiclight-emittingdiode；AM-OLED)显示器已主要应用为最近的智能手机的移动显示器。作为这种AM-OLED显示器的像素开关元件，即使在高度集成下，具有高电荷迁移率和高可靠性的低温多晶硅薄膜晶体管(lowtemperaturepolycrystallinesiliconthinfilmtransistor；LTPSTFT)也是合适的。准分子激光退火(ExcimerLaserAnnealing；ELA)主要用于硅的结晶以制造低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)。当将这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造纳米线半导体装置的方法，所述方法包括：/n在衬底上形成晶种层；/n在所述晶种层上形成第一导电层、半导体层、第二导电层依序堆叠在其中的多层；/n通过图案化所述多层来在所述衬底上方形成竖直纳米线；/n通过热处理来使所述竖直纳米线结晶；/n形成覆盖所述竖直纳米线的绝缘层；/n由所述竖直纳米线的所述半导体层形成围绕沟道区域的栅极；以及/n形成电连接到所述栅极、所述第一导电层以及所述第二导电层的金属接垫。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180323 KR 10-2018-0034098;20181122 KR 10-2018-011.一种制造纳米线半导体装置的方法，所述方法包括：
在衬底上形成晶种层；
在所述晶种层上形成第一导电层、半导体层、第二导电层依序堆叠在其中的多层；
通过图案化所述多层来在所述衬底上方形成竖直纳米线；
通过热处理来使所述竖直纳米线结晶；
形成覆盖所述竖直纳米线的绝缘层；
由所述竖直纳米线的所述半导体层形成围绕沟道区域的栅极；以及
形成电连接到所述栅极、所述第一导电层以及所述第二导电层的金属接垫。


2.根据权利要求1所述的制造纳米线半导体装置的方法，还包括：
在所述衬底上方形成层间介电层，所述层间介电层覆盖所述竖直纳米线且具有对应于所述第一导电层、所述第二导电层以及所述栅极的多个接触孔；以及
在所述层间介电层上形成分别对应于所述栅极、所述第一导电层以及所述第二导电层的多个金属接垫。


3.根据权利要求1所述的制造纳米线半导体装置的方法，其中所述晶种层由选自由以下组成的群组中的至少一种形成：NiOx、NiCxOy、NiNxOy、NiCxNyOz、NiCxOy:H、NiNxOy:H、NiCxNyOz:H、NixSiy以及NixGey。


4.根据权利要求2所述的制造纳米线半导体装置的方法，其中所述晶种层由选自由以下组成的群组中的至少一种形成：NiOx、NiCxOy、NiNxOy、NiCxNyOz、NiCxOy:H、NiNxOy:H、NiCxNyOz:H、NixSiy以及NixGey。


5.根据权利要求1所述的制造纳米线半导体装置的方法，其中所述第一导电层、所述第二导电层以及所述竖直纳米线包含硅、硅锗以及锗中的一种。


6.根据权利要求2所述的制造纳米线半导体装置的方法，其中所述第一导电层、所述第二层以及所述竖直纳米线包含硅、硅锗以及锗中的一种。


7.根据权利要求5所述的制造纳米线半导体装置的方法，其中所述多层包...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪瑛，
申请(专利权)人：洪瑛，
类型：发明
国别省市：辽宁;21