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本发明涉及一种用于纳米线半导体装置的制造方法。制造方法包括以下步骤：在衬底上形成晶种层；在晶种层上形成多层，第一导电层、半导体硅层以及第二导电层以所述次序沉积在多层中；使多层图案化以在衬底上形成竖直纳米线；通过热处理使纳米线结晶；形成覆盖纳...
该专利属于洪瑛所有，仅供学习研究参考，未经过洪瑛授权不得商用。

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