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本实用新型公开了一种含超级结的3C‑SiC外延结构，所述含超级结的3C‑SiC外延结构由下之上依次包括衬底、含超级结结构的N型外延层、3C‑SiC外延层；本实用新型通过在3C‑SiC外延层之下插入了含超级结结构的N型外延层，补偿了3C‑Si...
该专利属于芜湖启迪半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖启迪半导体有限公司授权不得商用。

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