非接触型单面探针结构制造技术

一种非接触型单面探针结构，在该结构中重复堆叠了多重绝缘薄膜和多重导电薄膜，该结构包括形成于该结构横截面的内导电薄膜部分上的探针电极，以及形成于环绕该探针电极的外导电薄膜部分的防护部分。因此，该结构能够形成具有导电薄膜厚度的探针电极，所述导电薄膜厚度与模式电极的管脚间距一致，从而能够在微型化的模式电极中探测到断路和短路。用作探针的横截面与接触孔相距特定的距离或者更远的距离，从而对噪音具有高的电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非接触型单面探针结构，尤其涉及一种在其中重复堆叠了多 重绝缘薄膜和多重导电薄膜的非接触型单面探针结构，该结构包括形成于该 结构横截面的内导电薄膜部分上的探针电极，以及形成于该结构横截面的外 导电薄膜部分上的防护部分，该结构能够形成具有导电薄膜厚度的探针电极，该导电薄膜厚度与模式电极(pattern electrode)的管脚间距一致，从而 能够在微型化的模式电极中探测到断路和短路。
技术介绍
一般来说，诸如数据传输线的多线电缆中的断路和短路能够在将每根线 与其它线分开之后通过测量电缆两端之间的电阻来测定。因此，需要两名或 更多的操作人员。如果电缆包含大量的线，偶尔未记清线号，就必须重复探 测，从而降低了探测的可靠性并增加了操作时间。此外，如图1所示，在平板显示装置IO (例如LCD和PDP)中，断路 和短路可以通过将电流加至每一个模式电极15的一端并且测量相应的模式 电极15另一端的电压来测定。断路和短路也可以通过使用显微镜或类似装 置检查传导线来测定。图1中，附图标记20表示探针块，附图标记30表示 探针。因此，至少需要两枚探针来探测单个模式电极中的断路和短路。因而需 要很多探针，成本也因而提高。此外，长模式电极需要两名或更多的操作人 员在不同的位置进行测量，从而花费很多的时间和人力。此外，如果是接触型探针，由于探针与模式电极是压力接触，可能发生 接触错误。并且，在作为测量目标的模式电极上可能产生擦痕，从而导致另外的错误。为了解决上述问题， 一种非接触型单面探针被运用于检测装置，以在探 针未与模式电极接触时在模式电极的一端探测断路和短路，其中用作非接触 型探针电极的激励电极和感应电极被配置为单个模块。图2示出了非接触型单面探针的橫截面。如图2所示，作为探针电极的 激励电极41和感应电极42被置于所述横截面的内侧部分，防护部分50被 置于横截面的外侧部分并被电接地，从而防止由于外界噪音造成的影响，并 防止施加到探针电极上的信号泄露到外界。随着模式电极微型化和多针的趋势，探针也应微型化以探测模式电极中 的断路和短路。尽管如此，由于探针电极和围绕探针电极的防护部分50应 以传统结构构成，因此很难将传统结构应用于微型化的模式电极。
技术实现思路
因此，本专利技术针对上述问题应运而生，本专利技术的目的在于提供一种非接 触型单面探针结构，在该结构中重复堆叠了多重绝缘薄膜和多重导电薄膜， 该结构包括形成于该结构横截面的内导电薄膜部分上的探针电极，以及形成 于其横截面的外导电薄膜部分上的防护部分，该结构能够形成具有导电薄膜 厚度的探针电极，该导电薄膜厚度与模式电极的管脚间距一致，从而能够在 微型化的模式电极中探测到断路和短路。根据本专利技术的一个方面，提供了一种非接触型单面探针结构，该结构包 括探针电极，该探针电极形成于重复堆叠了多重绝缘薄膜和多重导电薄膜 的横截面的内导电薄膜部分；防护部分，该防护部分形成于所述横截面的外 导电薄膜部分，该外导电薄膜部分环绕所述探针电极；以及接触孔，该接触 孔用于与探针电极和防护部分连接。优选情况下，所述绝缘薄膜和所述导电薄膜为印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。优选情况下，所述绝缘薄膜和所述导电薄膜是通过沉积形成的薄膜。 根据本专利技术的另一个方面，提供了一种非接触型单面探针结构，该结构 包括多个第一层，每个所述第一层包括绝缘薄膜和导电薄膜，所述导电薄 膜被置于绝缘薄膜上以形成防护部分；至少一层第二层，该第二层包括绝缘薄膜和导电薄膜，所述导电薄膜被置于绝缘薄膜上以具有构型于其上的探针电极和防护部分；防护接触孔，该防护接触孔用于与防护部分连接；以及电 极接触孔，该电极接触孔用于与探针电极连接，其中按顺序堆叠的所述第一 层、所述第二层和所述第一层的横截面形成探针。优选情况下，所述探针电极被构型于所述第二层的多个电极中。 优选情况下，所述探针电极通过多次沉积第二层而加厚。 优选情况下，所述绝缘薄膜和导电薄膜是印刷电路板(PCB)或柔性印 刷电路板(FPCB)。优选情况下，所述绝缘薄膜和导电薄膜是通过沉积形成的薄膜。 如上所述，在根据本专利技术的非接触型单面探针结构中，多重绝缘薄膜和 多重导电薄膜被重复堆叠，并且该结构包括形成于该结构横截面的内导电薄 膜部分上的探针电极，以及形成于其横截面的外导电薄膜上的防护部分。因 此，该结构能够形成具有导电薄膜厚度的探针电极，该导电薄膜厚度与模式 电极的管脚间距一致，从而能够在微型化的模式电极中探测到断路和短路。附图说明通过以下结合附图的详细说明，能够更清晰地理解本专利技术的上述以及其 他目的、特征和其他优点，其中图1为用于说明在一般模式电极中探测断路和短路的方法的示图； 图2示出了一般非接触型单面探针的平面图3示出了根据本专利技术的非接触型单面探针的透视图4A和4B说明了根据本专利技术的包括在非接触型单面探针中的各个层;以及图5说明了根据本专利技术的非接触型单面探针的另一个实例。 具体实施例方式在下文中，将结合附图对本专利技术的一个优选实施方式进行说明，其中相 同附图标记表示具有实际上与传统结构同样功能的相同部件。 图3示出了根据本专利技术的非接触型单面探针结构。如图3所示，多重绝缘薄膜61和多重导电薄膜62被重复堆叠。作为探 针电极的激励电极41和感应电极42形成于所述结构的横截面的内导电薄膜 部分。防护部分50形成于环绕探针电极的外导电薄膜部分。因此，其整体 剖面与图2所示的非接触型单面探针结构类似。也就是说，所述防护部分50 形成于外侧部分，该外侧部分的管脚间距与绝缘薄膜61和导电薄膜62的厚 度一致。作为探针电极的激励电极41和感应电极42形成于防护部分50内 部。此外，电缆100被提供以穿过电极接触孔91和防护接触孔92。探针电 极41和42以及防护部分50通过所述电缆100与检测装置连接，从而通过 探针电极41和42完成激励和感应，并且防护部分50被电接地。在此情况下，绝缘薄膜61和导电薄膜62可通过堆叠印刷电路板(FCB) 或柔性印刷电路板(FPCB)形成。为了形成具有更精细线的探针电极，绝 缘薄膜61和导电薄膜62可通过根据半导体制造工艺沉积薄膜形成。图4A和4B说明了根据本专利技术的包括在非接触型单面探针中的各个层。如图4A所示，第一层70位于探针的防护部分50的上和下部分。第一 层70的每一层包括绝缘薄膜61和形成于绝缘薄膜61之上的导电薄膜62。第一层70进一步包括电极接触孔91和防护接触孔92，所述电极接触孔91 用于与激励电极41和感应电极42连接，所述防护接触孔92用于与防护部 分50连接。如图4B所示，第二层80的每一层包括绝缘薄膜61和形成于绝缘薄膜 61之上的导电薄膜62，其中作为探针电极的激励电极41和传感电极42以 及防护部分50被构型于导电薄膜62上。第二层80进一步包括电极接触孔 91和防护接触孔92，所述电极接触孔91用于与激励电极41和感应电极42 连接，所述防护接触孔92用于与防护部分50连接。如图3所示，所述探针通过从底部往顶部堆叠第一层70、第二层80、 第二层80和第一层70而形成。在此情况下，用作探针电极的激励电极41和感应电极42可通过重复堆 叠第二层80而加厚。同时，如图5所示，激励电极41和感应电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非接触型单面探针结构，该结构包括：探针电极，该探针电极形成于重复堆叠了多重绝缘薄膜和多重导电薄膜的横截面的内导电薄膜部分；防护部分，该防护部分形成于所述横截面的外导电薄膜部分，所述外导电薄膜部分环绕所述探针电极；以及 接触孔，该接触孔用于与所述探针电极和所述防护部分连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：殷琸，金圣振，
申请(专利权)人：微探测株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]