【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置相关申请的交叉引用本申请要求于2019年5月9日提交的、申请号为10-2019-0054288的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本文中描述的专利技术构思的实施方案涉及用于处理基板的装置。
技术介绍
执行诸如清洁、沉积、光刻、涂覆、蚀刻和离子注入等的各种工艺以制造半导体设备。在这些工艺中，沉积工艺和涂覆工艺用于在基板上形成膜。通常，沉积工艺是通过在基板上沉积工艺气体而形成膜的工艺，且涂覆工艺是通过将处理液施用到基板而形成液膜的工艺。在基板上形成膜之前和之后，执行烘烤基板的工艺。烘烤工艺是在封闭空间中将基板加热到工艺温度以上的工艺。在烘烤工艺中，均匀加热基板的整个区域，或者调节基板的各个区域的温度。图1是示出常规烘烤工艺装置的截面立体图，而图2示出显示图1的装置中的气流的数据。参照图1和图2，烘烤工艺装置将从基板的边缘区域引入的气体排放到基板的中心区域。因此，各个区域的气体流速彼此不同。特别地，装置中的气体严重集中在基板的中心区域上。其结果是，装置...
【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n腔室，其具有形成在其中的处理空间；/n基板支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；/n板，其定位成面对所述处理空间中的所述基板支承单元，所述板具有形成在其中的多个孔；/n气体供应单元，其配置为通过所述孔将气体供应到所述处理空间中；和/n气体排放单元，其配置为通过所述孔排放所述处理空间中的所述气体，/n其中所述板具有形成在其中心区域中的多个第一排放孔和多个第一供应孔，所述第一排放孔配置为排放所述板和所述基板支承单元之间的居间空间中的所述气体，并且所述第一供应孔由所述第一排放孔围绕，且所述第一供应孔配置为将所述气体供应到所述...
【技术特征摘要】
20190509 KR 10-2019-00542881.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
腔室，其具有形成在其中的处理空间；
基板支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；
板，其定位成面对所述处理空间中的所述基板支承单元，所述板具有形成在其中的多个孔；
气体供应单元，其配置为通过所述孔将气体供应到所述处理空间中；和
气体排放单元，其配置为通过所述孔排放所述处理空间中的所述气体，
其中所述板具有形成在其中心区域中的多个第一排放孔和多个第一供应孔，所述第一排放孔配置为排放所述板和所述基板支承单元之间的居间空间中的所述气体，并且所述第一供应孔由所述第一排放孔围绕，且所述第一供应孔配置为将所述气体供应到所述居间空间中，并且
其中所述板具有形成在其所述中心区域外部的多个第二供应孔，所述第二供应孔配置为将所述气体供应到所述居间空间中。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述板具有形成在其中的第二排放孔，所述第二排放孔位于所述第二供应孔外部，并且所述第二排放孔配置为排放所述居间空间中的所述气体。
3.根据权利要求2所述的装置，其中连接到所述第一供应孔和所述第二供应孔的扩散空间形成在所述板内部。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述装置还包括中间体，所述中间体耦合到所述板的上表面，并且
其中所述中间体具有缓冲空间，从外部引入的所述气体在被输送至所述扩散空间之前首先在所述缓冲空间中传播。
5.根据权利要求4所述的装置，其中配置为连接所述缓冲空间和所述扩散空间的多个缓冲孔形成在所述中间体的底部中，并且
其中当从上方观察时，所述缓冲空间定位成覆盖所述第一供应孔，并且所述缓冲孔定位成不与所述第一供应孔重叠。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述中间体具有阶梯形状，所述阶梯形状具有形成在其上表面的凹部，并且所述中间体的所述上表面与所述腔室的顶板组合以形成第一排放空间，
其中所述第一排放孔独立于所述扩散空间和所述缓冲空间而向上延伸，并连接到所述第一排放空间，并且
其中所述气体排放单元包括配置为抽排所述第一排放空间的第一减压构件。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述中间体具有比所述板更小的宽度，
其中所述第二排放孔连接到第二排放空间，所述第二排放空间通过所述板、所述顶板和所述中间体的组合而形成，并且
其中所述气体排放单元包括配置为抽排所述第二排放空间的...
【专利技术属性】
技术研发人员：申景湜，李政炫，辛辰基，朴绪正，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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