【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种有机半导体气敏材料的制作方法。
技术介绍
现代工业的发展带来了大量的毒性气体,危害着人们的生命安全。气体传感器可以检测微量的气体并做出报警,为解决这一问题提供了技术保障。气体传感器主要是由气敏材料和信号转换部分构成,其中,气敏材料是核心和关键部分。现有的大部分气敏材料是无机半导体材料,以SnO2、ZnO、Fe2O3、WO3等为主,对C4H10、CH4、CO等可燃性气体为检测对象,存在着功耗大、灵敏度低、选择性差等问题,特别是对SO2、NO2等毒性气体检测不理想。
技术实现思路
本专利技术的目的是为解决现有的大部分气敏材料是无机半导体材料,以SnO2、ZnO、Fe2O3、WO3等为主,对C4H10、CH4、CO等可燃性气体为检测对象,存在着功耗大、灵敏度低、选择性差等问题,特别是对SO2、NO2等毒性气体检测不理想的问题,提供一种酞菁钯-聚苯胺混合杂化有机半导体气敏材料的制作方法。实现本专利技术方法的步骤为一、组分的计算和设计以待测气体的种类进行设计;针对NO2气体阴离子酸或盐选择硝酸或硝酸铵,x=0.3~0.9或0.1~0.2;针对NO气体阴离子 ...
【技术保护点】
一种酞菁钯-聚苯胺混合杂化有机半导体气敏材料的制作方法,其特征在于制作方法的步骤为:一、组分的计算和设计:以待测气体的种类进行设计;针对NO↓[2]气体:阴离子酸或盐选择硝酸或硝酸铵,x=0.3~0.9或0.1~0.2;针对NO气体:阴离子酸或盐选择亚硝酸或亚硝酸铵,x=0.3~0.9或0.1~0.2;针对SO↓[2]气体:阴离子酸或盐选择亚硫酸或硫酸铵,x=0.3~0.9;针对Cl↓[2]气体:阴离子酸或盐选择盐酸、高氯酸或氯化钠,x=0.1~0.9;其中,x值是阴离子掺杂PANI的中间体物质与四取代对甲基苯氧基酞菁钯的中间体物质的重量比例系数,为有理数;二、单物质中间体 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:施云波,郭建英,张洪泉,丁喜波,冯侨华,时强,
申请(专利权)人:哈尔滨理工大学,
类型:发明
国别省市:93[中国|哈尔滨]
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