一种金电极对的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金电极对的制备方法，包括金丝的绝缘固定、构建电解电路、电解、洗涤等步骤，通过对金丝下端电压的取样，控制电子开关的通断，实现对腐蚀反应的自动控制，从而获得所需的纳米级间距的金电极对。本发明专利技术首次采用电化学方法在常规环境下制备了纳米级间距的金电极对，试验发现，采用本发明专利技术的制备方法可得到最小间距为５ｎｍ的金电极对，为构建分子尺寸器件基本单元并进一步构建分子电子器件奠定了基础，且该制备方法简单、条件温和，无需大型仪器设备，可直接在实验室进行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于分子电子器件加工
，具体涉及一种金电极对的制备 方法。
技术介绍
目前，在微电子领域中用于构建微型器件的方法主要有自上而下(top dowii)和自下而上(bottom up)两种，前者由于相关物理定则的影响，其加工 尺寸已经快接近极限；后者是建立在原子和分子基础上的器件加工和构建技 术，在构造纳米尺度器件和机器方面处于优势地位，并且随着纳米科技的飞 速发展，纳米结构材料与器件因其巨大的潜在应用以及所展现的奇异量子现 象而吸引了人们的广泛关注， 一些和电子学相关的纳米器件的设想引起了电 子学家、物理学家和化学家的巨大兴趣，如不断縮小半导体器件的尺寸，构 建小型、髙集成化、髙速的器件成为科学家普遍追逐的热点，而其中分子电 子学则是热点中的热点，其研究可以定义为分子尺度上的电子学研究，是今 后微电子学发展的方向。构建分子电子器件的关键是构建分子尺寸器件基本单元，其中，构建具 有纳米甚至分子尺度间隙的金电极对则是分子电子器件模型研究的出发点， 这也正是自下而上手段构建复杂微电子器件的基础，是发展分子电子器件的 必经步骤。现有技术中，已有众多关于如何获得上述金电极对体系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金电极对的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：　（１）在一金丝（１）的两端分别焊接引出线，金丝（１）中部预留长度１～２毫米的反应部，其余部分进行绝缘处理，并固定于一绝缘板（２）上；　（２）将所述绝缘板（２）竖直插入电解液（４）中，液面位于所述金丝（１）的反应部，以金丝（１）为正电极，石墨为负电极，构成电解电路；所述电解电路的电源正极与金丝（１）的上端引出线电连接，电源负极接地并通过一电子开关（５）的开关部与石墨电极连接；电子开关（５）的控制端与金丝（１）的下端引出线电连接；　所述电子开关（５）的开关部为ＭＯＳ管，控制部包括比较器和三极管，比较器的输出端与三极管基极连接，三极管集电极与ＭＯＳ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚建林，邹文君，魏志祥，袁亚仙，顾仁敖，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]