一种等离子体刻蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种等离子体刻蚀装置，所述装置包括：中空反应室；设置于所述中空反应室上的至少一个进气孔和至少一个排气管；设置于所述中空反应室内的晶舟；所述中空反应室的水平轴线与所述晶舟的延伸方向之间具有预设角度；所述预设角度不等于零。本实用新型专利技术的等离子体刻蚀装置的中空反应室的水平轴线与晶舟的延伸方向之间存在一个不等于零的夹角，使得放置在晶舟上的各个样品在中空反应室的水平轴线方向形成截面差，该截面差可以引导气流从两个样品之间流过，从而不形成扰流区，解决样品之间扰流区的存在导致样品刻蚀不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体刻蚀装置
本技术涉及等离子体刻蚀
，具体涉及一种等离子体刻蚀装置。
技术介绍
等离子体刻蚀(也称干法刻蚀)是集成电路、芯片制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩膜图形复制到待刻蚀样片表面。在传统的圆筒式等离子刻蚀装置中，晶舟水平放置，各样品垂直放置于晶舟上，等离子体气流流动方向与样品的表面垂直，这样很容易在样片表面的中心区域形成一个扰流区，即样品中心气体的置换率小，从而使得扰流区的等离子体较少，产生刻蚀不均匀的现象。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种等离子体刻蚀装置，旨在解决传统的圆筒式等离子体刻蚀装置中，晶舟水平放置，各样品垂直放置于晶舟上，容易在样片表面的中心区域形成扰流区，产生刻蚀不均匀现象等问题。本技术解决上述技术问题所采用的技术方案如下：一种等离子体刻蚀装置，其中，所述装置包括：中空反应室；设置于所述中空反应室上的至少一个进气孔和至少一个排气管；设置于所述中空反应室内的晶舟；所述中空反应室的水平轴线与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述装置包括：中空反应室；设置于所述中空反应室上的至少一个进气孔和至少一个排气管；设置于所述中空反应室内的晶舟；所述中空反应室的水平轴线与所述晶舟的延伸方向之间具有预设角度；所述预设角度不等于零。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述装置包括：中空反应室；设置于所述中空反应室上的至少一个进气孔和至少一个排气管；设置于所述中空反应室内的晶舟；所述中空反应室的水平轴线与所述晶舟的延伸方向之间具有预设角度；所述预设角度不等于零。


2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述晶舟靠近所述进气孔一端的高度小于所述晶舟靠近所述排气管一端的高度。


3.根据权利要求2所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述中空反应室的水平轴线与所述晶舟的延伸方向之间的夹角位于包含所述中空反应室的水平轴线的垂直面内。


4.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述中空反应室的水平轴线与所述晶舟的延伸方向之间的夹角位于包含所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏财钰，伍凯义，杨然翔，张嘉修，钟光韦，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50