半导体装置以及半导体装置的识别方法制造方法及图纸

半导体装置(1a)具有：第1外部端子(31)，其被施加第1电压；第2外部端子(32)，其被施加第2电压；第3外部端子(33)；第1配线(17)，其与第1外部端子(31)连接；第2配线(18)，其与第2外部端子(32)连接；内部阻塞电路(11)，其与第1配线(17)连接；第1电阻(12)以及晶体管(14)，其在第1配线(17)与第2配线(18)之间串联连接；以及第2电阻(13)，其连接在第1配线(17)与第2配线(18)之间。晶体管(14)响应从第3外部端子(33)供给的测试信号而接通断开。通过这样的结构，即使在无法从预定的电阻值进行变更的情况下也能够基于电阻值进行产品识别。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的识别方法
本公开涉及半导体装置以及半导体装置的识别方法。
技术介绍
半导体装置通过在其树脂表面设置标记可识别该产品。具有通过相同的封装来形成结构或电气特性不同的品种的半导体装置。并且，在将半导体装置实装到基板时无法观察标记，有时难以进行半导体装置的产品识别。作为此时的产品识别的方法，例如存在如下方法：将根据产品的品种而调整了电阻值的电阻元件设置在半导体装置内，通过外部端子来测定该电阻元件的电阻值(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-68810号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，当设置在半导体装置内的电阻元件在半导体装置的规格(电气特性)方面，无法从预定的电阻值进行变更时，难以为了进行产品识别而设定电阻元件的电阻值。本公开的目的在于提供一种半导体装置以及半导体装置的识别方法，即使在无法从预定的电阻值进行变更的情况下也能够基于电阻值进行产品的识别。用于解决课题的手段本公开的第1侧面提供的半导体装置具有：第1外部端子，其被施加第1电压；第2外部端子，其被施加第2电压；第3外部端子；第1配线，其与所述第1外部端子连接；第2配线，其与所述第2外部端子连接；第1内部阻塞电路，其与所述第1配线连接；第1电阻和第1开关元件，其在所述第1配线与所述第2配线之间串联连接；以及第2电阻，其连接在所述第1配线与所述第2配线之间，所述第1开关元件根据对所述第3外部端子施加的测试信号接通或者断开。本公开的第2侧面提供的半导体装置具有：第1外部端子，其被施加第1电压；第2外部端子，其被施加第2电压；第3外部端子；第1配线，其与所述第1外部端子连接；第2配线，其与所述第2外部端子连接；第1内部阻塞电路，其与所述第1配线连接；第1电阻和第1开关元件，其在所述第1配线与所述第2配线之间串联连接；以及第2电阻，其连接在所述第1配线与所述第2配线之间。本公开的第3侧面提供的半导体装置的识别方法进行所述半导体装置的产品识别，其具有：第1步骤，断开所述第1开关元件；第2步骤，根据所述第1外部端子与所述第2外部端子之间的电压来检测所述第2电阻的电阻值。附图说明图1是第1实施方式的半导体装置的电路图。图2表示图1的半导体装置的一部分的布局。图3是第2实施方式的半导体装置的电路图。图4是第3实施方式的半导体装置的电路图。图5是图4的第2内部阻塞电路的一例的电路图。图6是第4实施方式的半导体装置的电路图。图7是第5实施方式的半导体装置的电路图。图8是具有半导体装置的功率模块的平面图。图9是具有半导体装置的功率模块的主要部分的平面图。图10是具有半导体装置的功率模块的底面图。图11是半导体装置的上侧开关驱动部的平面图。图12是半导体装置的下侧开关驱动部的平面图。图13是图8的功率模块的示意电路图。图14是表示图8的功率模块的电路结构的一部分的电路图。图15是第1测试电路(测试电路)的一例的电路图。图16是第2测试电路的一例的电路图。图17是变形例的测试电路的一例的电路图。图18是变形例的测试电路的一例的电路图。图19是变形例的半导体装置的电路图。具体实施方式以下，参照附图对半导体装置的实施方式进行说明。以下所示的实施方式例示用于使技术思想具体化的结构或方法，并非将各构成部品的材质、形状、构造、配置、尺寸等限定于下述的材质、形状、构造、配置、尺寸等。以下的实施方式可施加各种变更。本说明书中，所谓“部件A与部件B连接的状态”包含部件A与部件B物理性地直接连接的情况以及部件A与部件B经由不对电连接状态造成影响的其他部件而间接连接的情况。同样地，所谓“部件C设置在部件A与部件B之间的状态”包含部件A与部件C或者部件B与部件C直接连接的情况、部件A与部件C或者部件B与部件C经由不对电连接状态造成影响的其他部件而间接连接的情况。(第1实施方式)参照图1和图2，对第1实施方式的半导体装置1a进行说明。图1示出了表示半导体装置1a的主要部分的电路图以及电阻值测定器100的示意性结构。电阻值测定器100的一例是手持测试仪。关于半导体装置1a，通过对晶体管、电阻等多个电气元件例如进行树脂封装而构成为模块。在一例中，如图1所示，半导体装置1a具有：作为第1内部阻塞电路的一例的内部阻塞电路11、第1电阻12、第2电阻13、作为第1开关元件的一例的晶体管14、第1二极管15、第2二极管16、第1配线17、第2配线18、第3配线19、以及作为第1测试电路的一例的测试电路20。此外，作为从封装树脂突出的多个端子，半导体装置1a具有：第1外部端子31、第2外部端子32、作为外部检测端子的一例的第3外部端子33、以及第4外部端子34。第1外部端子31是输入对半导体装置1a的内部阻塞电路11进行控制的控制信号的输入端子。第2外部端子32是GND端子。第3外部端子33是在检测出半导体装置1a的异常时向外部输出异常信号的端子。此外，在对半导体装置1a进行产品识别或进行电气特性的检查时对本实施方式的第3外部端子33施加测试信号。第4外部端子34是施加电源电压VCC的端子。在第1外部端子31连接第1配线17，在第2外部端子32连接第2配线18，在第4外部端子34连接第3配线19。将用于输入控制信号的第1电压经由第1外部端子31施加到第1配线17。第1电压的一例是作为控制电压是3.3V～5.0V。将作为接地电位的第2电压经由第2外部端子32施加到第2配线18。内部阻塞电路11例如包含功率用晶体管11X和用于对功率用晶体管11X进行驱动的栅极驱动电路11Y、施密特触发器11Z。栅极驱动电路11Y设置在功率用晶体管11X与施密特触发器11Z之间。功率用晶体管11X的一例是IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极晶体管)。作为功率用晶体管11X的控制端子的栅极端子11g与第1配线17连接。另外，作为功率用晶体管11X也可以是MOSFET等其他的晶体管。将2kHz以上频率的脉冲信号即栅极控制信号经由第1外部端子31和栅极驱动电路11Y输入到功率用晶体管11X的控制端子。在一例中，优选栅极控制信号是5kHz以上且20kHz以下的频率。第1电阻12和作为开关元件的晶体管14在第1配线17与第2配线18之间串联连接。晶体管14例如是NMOSFET。晶体管14的源极与第2配线18连接，作为晶体管14的控制端子的一例的栅极经由测试电路20与第3外部端子33连接。第2电阻13连接在第1配线17和第2配线18之间。通过晶体管14的接通，在第1配线17与第2配线18之间连接第1电阻12和第2电阻13。也就是说，第1电阻12与第2电阻13相互并联连接。该相互并联连接的第1电阻12和第2电阻13的合成电阻的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：/n第1外部端子，其被施加第1电压；/n第2外部端子，其被施加第2电压；/n第3外部端子；/n第1配线，其与所述第1外部端子连接；/n第2配线，其与所述第2外部端子连接；/n第1内部阻塞电路，其与所述第1配线连接；/n第1电阻以及第1开关元件，其在所述第1配线与所述第2配线之间串联连接；以及/n第2电阻，其连接在所述第1配线与所述第2配线之间，/n所述第1开关元件根据施加到所述第3外部端子的测试信号接通或者断开。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180312 JP 2018-0443981.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第1外部端子，其被施加第1电压；
第2外部端子，其被施加第2电压；
第3外部端子；
第1配线，其与所述第1外部端子连接；
第2配线，其与所述第2外部端子连接；
第1内部阻塞电路，其与所述第1配线连接；
第1电阻以及第1开关元件，其在所述第1配线与所述第2配线之间串联连接；以及
第2电阻，其连接在所述第1配线与所述第2配线之间，
所述第1开关元件根据施加到所述第3外部端子的测试信号接通或者断开。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1外部端子是输入用于控制所述第1内部阻塞电路的控制信号的输入端子。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2电阻的电阻值比所述第1电阻的电阻值大。


4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1开关元件的控制端子与在检测出所述半导体装置的异常时向外部进行输出的外部检测端子电连接。


5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
连接所述第1外部端子与所述第1电阻的所述第1配线的长度比连接所述第1外部端子与所述第2电阻的所述第1配线的长度短。


6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具有测试电路，该测试电路根据所述测试信号来接通断开所述第1开关元件，根据驱动电压的供给来接通所述第1开关元件。


7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置还具有：
开关部，其与所述第1电阻和所述第1开关元件之间的节点连接；以及
第2内部阻塞电路，其与所述开关部电连接。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2内部阻塞电路包含温度测定电路。


9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具有测试电路，该测试电路根据所述测试信号来分别接通断开所述第1开关元件和所述开关部，
所述测试电路具有：
第1测试模式，根据所述测试信号来接通所述第1开关元件，断开所述开关部；
第2测试模式，根据所述测试信号来断开所述第1开关元件，接通所述开关部；以及
通常模式，根据驱动电压的供给接通所述第1开关元件，断开所述开关部。


10.根据权利要求1～8中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具有连接在所述第2电阻与所述第2配线之间的第2开关元件。


11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2开关元件的控制端子与在检测出所述半导体装置的异常时向外部进行输出的外部检测端子、所述第1外部端子、以及所述第2外部端子以外的外部端子电连接。


12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具有：
第1测试电路，其根据所述测试信号接通断开所述第1开关元件，根据驱动电压的供给接通所述第1开关元件；以及
第2测试电路，其根据所述测试信号来接通断开所述第2开关元件，根据驱动电压的供给接通或断开所述第2开关元件。


13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本直树，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP