显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，显示基板包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的低温多晶硅薄膜晶体管；覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧、金属氧化物薄膜晶体管的有源层；其中，所述金属氧化物薄膜晶体管的第一极与所述低温多晶硅薄膜晶体管的第三极连接，所述第一极为源极或漏极，所述第三极为源极或漏极。本发明专利技术的技术方案能够避免薄膜晶体管失效，保证显示基板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
LTPO((LowTemperaturePolycrystallineOxide，低温多晶氧化物)技术结合了LTPS-TFT(LowTemperaturePoly-siliconThinFilmTransistor，低温多晶硅薄膜晶体管)电子迁移率和稳定性较高的优点以及Oxide-TFT(氧化物薄膜晶体管)均一性好、漏电少的优点，能够应用在高PPI(PixelsPerInch，像素密度)的显示产品中。现有技术中LTPO显示基板的制备工艺为：先制备得到LTPS-TFT的有源层、栅绝缘层、栅极层、无机绝缘层和缓冲层；再制备Oxide-TFT的有源层IGZO、栅绝缘层层、栅极层和无机绝缘层；然后进行暴露IGZO有源层的孔的刻蚀；之后再形成金属层作为OxideTFT的源漏极，之后再进行暴露LTPS-TFT有源层的过孔的刻蚀，并完成BOE(缓冲氧化物蚀刻液)工艺，之后形成LTPSTFT的源漏电极层，并将LTPSTFT的源漏电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n位于所述衬底基板上的低温多晶硅薄膜晶体管；/n覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的第一绝缘层；/n位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧、金属氧化物薄膜晶体管的有源层；/n其中，所述金属氧化物薄膜晶体管的第一极与所述低温多晶硅薄膜晶体管的第三极连接，所述第一极为源极或漏极，所述第三极为源极或漏极。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的低温多晶硅薄膜晶体管；
覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的第一绝缘层；
位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧、金属氧化物薄膜晶体管的有源层；
其中，所述金属氧化物薄膜晶体管的第一极与所述低温多晶硅薄膜晶体管的第三极连接，所述第一极为源极或漏极，所述第三极为源极或漏极。


2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述金属氧化物薄膜晶体管的第一极和第二极与所述低温多晶硅薄膜晶体管的第三极和第四极同层同材料设置，所述金属氧化物薄膜晶体管的有源层通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述第一极和所述第二极分别连接。


3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一极与所述第三极为一体结构。


4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：
位于所述金属氧化物薄膜晶体管的有源层远离所述衬底基板一侧的第二绝缘层；
位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板一侧、金属氧化物薄膜晶体管的第一极和第二极，所述第一极和所述第二极通过贯穿所述第二绝缘层的过孔分别与所述金属氧化物薄膜晶体管的有源层连接，所述第一极通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔与所述第三极连接。


5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：
位于所述金属氧化物薄膜晶体管的有源层远离所述衬底基板一侧的第三绝缘层；
位于所述第三绝缘层远离所述衬底基板一侧的所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极。
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨柯，李振东，高涛，任怀森，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11