【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
技术介绍
在现有的显示面板中，低温多晶硅薄膜晶体管得到广泛应用，然而，受工艺制程和外界环境的影响，低温多晶硅薄膜晶体管的稳定性较弱，造成器件性能不佳，难以满足显示需求。因此，现有的显示面板存在低温多晶硅薄膜晶体管性能不佳的技术问题，需要改进。
技术实现思路
本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板，用以缓解现有的显示面板中低温多晶硅薄膜晶体管性能不佳的技术问题。本申请提供一种阵列基板，包括：衬底；驱动电路层，形成在所述衬底一侧，包括电性连接的低温多晶硅薄膜晶体管和低温多晶氧化物薄膜晶体管，在远离所述衬底的方向上，所述低温多晶硅薄膜晶体管依次包括多晶硅有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述低温多晶氧化物薄膜晶体管依次包括氧化物有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述多晶硅有源层连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述氧化物有源层连接；氢阻挡层，形成在所述氧化物有...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底；/n驱动电路层，形成在所述衬底一侧，包括电性连接的低温多晶硅薄膜晶体管和低温多晶氧化物薄膜晶体管，在远离所述衬底的方向上，所述低温多晶硅薄膜晶体管依次包括多晶硅有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述低温多晶氧化物薄膜晶体管依次包括氧化物有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述多晶硅有源层连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述氧化物有源层连接；/n氢阻挡层，形成在所述氧化物有源层上侧或下侧中的至少一侧；/n像素电极层，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，图案化形成像素电极，所述像素电极与所述第...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
驱动电路层，形成在所述衬底一侧，包括电性连接的低温多晶硅薄膜晶体管和低温多晶氧化物薄膜晶体管，在远离所述衬底的方向上，所述低温多晶硅薄膜晶体管依次包括多晶硅有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述低温多晶氧化物薄膜晶体管依次包括氧化物有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述多晶硅有源层连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述氧化物有源层连接；
氢阻挡层，形成在所述氧化物有源层上侧或下侧中的至少一侧；
像素电极层，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，图案化形成像素电极，所述像素电极与所述第一源极或第一漏极连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括存储电容，在远离所述衬底的方向上，所述驱动电路层依次包括多晶硅有源层、第一栅绝缘层、第一金属层、第二栅绝缘层、第二金属层、第一层间介质层和源漏极层，所述第一金属层图案化形成所述第一栅极和所述存储电容的第一极板，所述第二金属层图案化形成所述存储电容的第二极板，所述源漏极层图案化形成所述第一源极和所述第一漏极，所述氢阻挡层包括第一氢阻挡层，所述第一氢阻挡层与所述第一金属层和所述第二金属层的至少一层同层设置。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一氢阻挡层材料为金属。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物有源层包括沟道区和掺杂区，所述沟道区在所述衬底上的投影，落在所述第一氢阻挡层在所述衬底上的投影范围内。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一氢阻挡层的宽度比所述沟道区的宽度大1至8微米，所述第一氢阻挡层的长度比所述沟道区的长度大1至10微米。
6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括驱动信号线，所述驱动信号线与所述第一氢阻挡层连接，用于向所述第一氢阻挡层输入可变电压。
7.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在远离所述第一层间介质层的方向上，所述驱动电路层依次包括所述氧化物有源层、第三栅绝缘层、第三金属层、第二层间介质层和所述源漏极层，所述第三金属层图案化形成所述第三栅极，所述源漏极层图案化形成所述第二源极和所述第二漏极，所述氢阻挡层包括第二氢阻挡层，所述第二氢阻挡层形成在所述源漏极层远离所述第二层间介质层的一侧。
技术研发人员：赵慧慧，彭浩，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。