FD-SOI衬底结构及器件结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种FD‑SOI衬底结构及器件结构，FD‑SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及氮氧化锗层。本实用新型专利技术的衬底结构采用顶锗硅层及氮氧化锗层的堆栈结构，顶锗硅层作为器件的沟道，不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降低源漏极之间的泄漏电流，另一方面，顶锗硅层可大幅提高空穴迁移率，进而提高器件性能。顶锗硅层上覆盖氮氧化锗层，可以有效防止锗硅沟道表面形成溶于水的GeO

【技术实现步骤摘要】
FD-SOI衬底结构及器件结构
本技术属于半导体设计及制造领域，特别是涉及一种FD-SOI衬底结构及器件结构。
技术介绍
体硅CMOS技术走到22nm之后，特征尺寸已很难继续微缩，急需革新技术来维持进一步发展。在候选技术之中，FDSOI(FullyDepletedSOI，全耗尽SOI)技术极具竞争力。对于FDSOI晶体管，硅薄膜自然地限定了源漏结深，同时也限定了源漏结耗尽区，从而可改善DIBL(DrainInducedBarrierLowering，漏致势垒降低)等短沟道效应，改善器件的亚阈特性，降低电路的静态功耗。此外，FDSOI晶体管无需沟道掺杂，可以避免RDF(RandomDopantsFluctuation，随机掺杂涨落)等效应，从而保持稳定的阈值电压，同时还可以避免因掺杂而引起的迁移率退化。不同于FinFET工艺采用的3D晶体管结构，FD-SOI为平面工艺，可以有效降低工艺难度；与传统的体硅硅技术相较，FD-SOI能提供更好的晶体管静电特性，而埋入氧化层能降低源极(source)与漏极(drain)之间的寄生电容；此外该技术能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种FD-SOI衬底结构，其特征在于，所述FD-SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及氮氧化锗层。/n

【技术特征摘要】
1.一种FD-SOI衬底结构，其特征在于，所述FD-SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及氮氧化锗层。


2.根据权利要求1所述的FD-SOI衬底结构，其特征在于：所述的顶锗硅层的厚度范围介于60埃米～100埃米之间。


3.根据权利要求1所述的FD-SOI衬底结构，其特征在于：所述氮氧化锗层的厚度介于5埃米～20埃米之间。


4.根据权利要求1所述的FD-SOI衬底结构，其特征在于：所述埋氧化层为二氧化硅层，其厚度范围介于100埃米～300埃米之间。


5.一种FD-SOI器件结构，其特征在于，所述FD-SOI器件结构包括：
如权利要求1～4任意一项所述的FD-SOI衬底结构；
栅极结构，位于所述氮氧化锗层上，包括依次堆叠的栅氧层、高k介质层、氮化钛层及栅极层，所述栅极结构两侧具有侧墙结构；
锗硅凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐大朋，薛忠营，罗杰馨，柴展，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，上海功成半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31