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本实用新型提供一种FD‑SOI衬底结构及器件结构，FD‑SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及氮氧化锗层。本实用新型的衬底结构采用顶锗硅层及氮氧化锗层的堆栈结构，顶锗硅层作为器件的沟道，不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降...该专利属于上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。