【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板及其制造方法
以下所公开的专利技术涉及有源矩阵基板及其制造方法。
技术介绍
已提供一种有源矩阵基板，其在以矩阵状配置有多个像素的基板上按每个像素设置有薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)。这种有源矩阵基板例如公开于特开2010-141308号公报。该有源矩阵基板中的TFT的栅极电极被栅极绝缘层覆盖，在栅极绝缘层上设置有源极电极和漏极电极，从源极电极和漏极电极之上设置有半导体层。为了使上述这样的有源矩阵基板的像素所设置的栅极配线低电阻化，有时与栅极配线同样地使栅极电极的膜厚变厚。如果使栅极电极的膜厚变厚，则栅极电极与源极电极及漏极电极之间的间隔会变窄，该部分的栅极绝缘膜的绝缘耐压下降。其结果是，在栅极绝缘膜容易产生静电破坏。如果与栅极电极的膜厚相应地使栅极绝缘膜的膜厚变厚，则与沟道区域对应的栅极绝缘膜的部分的膜厚也会变厚，TFT的导通电流下降。也就是说，为了增加TFT的导通电流，栅极绝缘膜中的与源极电极及漏极电极重叠的部分的膜厚优选较厚，为了提高绝缘耐压，栅极绝缘膜中的与沟道区域重叠的...
【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板，具备基板和薄膜晶体管，其特征在于，/n上述薄膜晶体管具备：/n栅极电极，其设置在上述基板上；/n第1无机绝缘膜，其覆盖上述栅极电极；/n第2无机绝缘膜，其设置在上述第1无机绝缘膜上，在俯视时与上述栅极电极重叠的区域具有开口；/n源极电极和漏极电极，其与上述栅极电极在俯视时重叠，覆盖上述第2无机绝缘膜的一部分；以及/n半导体膜，其在上述开口中与上述栅极电极在俯视时重叠，覆盖上述源极电极和上述漏极电极，/n在上述第1无机绝缘膜中，关于俯视时与上述开口重叠的第1区域和除了该第1区域以外的第2区域各自的面，上述第1区域的相对于上述第1无机绝缘膜设置有上述第2无...
【技术特征摘要】
20190429 US 62/8399361.一种有源矩阵基板，具备基板和薄膜晶体管，其特征在于，
上述薄膜晶体管具备：
栅极电极，其设置在上述基板上；
第1无机绝缘膜，其覆盖上述栅极电极；
第2无机绝缘膜，其设置在上述第1无机绝缘膜上，在俯视时与上述栅极电极重叠的区域具有开口；
源极电极和漏极电极，其与上述栅极电极在俯视时重叠，覆盖上述第2无机绝缘膜的一部分；以及
半导体膜，其在上述开口中与上述栅极电极在俯视时重叠，覆盖上述源极电极和上述漏极电极，
在上述第1无机绝缘膜中，关于俯视时与上述开口重叠的第1区域和除了该第1区域以外的第2区域各自的面，上述第1区域的相对于上述第1无机绝缘膜设置有上述第2无机绝缘膜的一侧的面的位置比上述第2区域的相对于上述第1无机绝缘膜设置有上述第2无机绝缘膜的一侧的面的位置低。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，
上述第1无机绝缘膜包含第1栅极绝缘层、以及由与上述第1栅极绝缘层不同的材料形成的第2栅极绝缘层，
上述第1栅极绝缘层覆盖上述栅极电极，
上述第2栅极绝缘层覆盖上述第1栅极绝缘层，
关于上述第2栅极绝缘层的上述第1区域和上述第2区域各自的面，上述第1区域的相对于上述第1无机绝缘膜设置有上述第2无机绝缘膜的一侧的面的位置比上述第2区域的相对于上述第1无机绝缘膜设置有上述第2无机绝缘膜的一侧的面的位置低。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，
上述源极电极和上述漏极电极覆盖上述开口的外侧的上述第2无机绝缘膜的表面的一部分，并且覆盖上述开口的内侧的上述第2无机绝缘膜的表面。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
还具备导电膜，上述导电膜覆盖上述源极电极和上述漏极电极的表面，并且对包含氟的酸性水溶液具有蚀刻耐性，
上述半导体膜从上述导电膜之上覆盖上述源极电极和上述漏极电极。
5.根据权利要求1或3所述的有源矩阵基板，
还具备保护膜，上述保护膜以在俯视时夹着上述第1区域的方式配置于上述第1无机绝缘膜上，
上述第1区域在俯视时配置于上述开口的内侧，
在上述开口的外侧，上述保护膜的一部分被上述第2无机绝缘膜覆盖。
6.一种有源矩阵基...
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