一种阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板，其一侧表面依次设有阻隔层、有源层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一介电层、第三绝缘层及第二介电层；第一凹槽，依次贯穿第二介电层、第三绝缘层、第一介电层、第二绝缘层、第一绝缘层、有源层以及部分的阻隔层，所述第一凹槽的底面位于所述阻隔层的内部；以及第一源漏电极，设于第二介电层远离第三绝缘层的一侧表面，且覆盖第一凹槽的内侧壁和底面，第一源漏电极连接至有源层。本发明专利技术的有益效果在于，本发明专利技术的阵列基板及其制备方法，第一凹槽的侧壁上设有一台阶面，源漏电极覆盖台阶面，从而具有一缓冲效果，避免由于第一凹槽的侧壁过长导致的源漏电极断裂的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法
本申请涉及面板领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
LTPO是一种低功耗OLED显示技术，LTPOTFT具有比LTPSTFT更低的驱动功率。LTPS显示静止图像需要60Hz，但是LTPO可以降低到1Hz，驱动功率大大降低。LTPO将部分晶体管转换成氧化物，漏电流更少，可使电容器电压(电荷)保持一秒钟，以驱动1Hz。LTPS漏电流更大，即使驱动静止像素也需要60Hz；否则，亮度会大幅降低，而LTPO不会。因此LTPO产品具有较低的功耗越来越受到人们的追捧。与LTPS相比，制造LTPO需要更多的膜层。首先制造LTPS晶体管，然后通过溅射将金属氧化物(IGZO)沉积在上面以形成氧化物晶体管。为了防止LTPS晶体管与IGZO晶体管相互干扰，二者之间具有较厚的无机膜层作为阻隔。因此源漏电极(SD)到有源层(poly)之间就具有更厚的无机膜层，由于高PPI的要求存在，使得源漏电极连接有源层的孔径通常较小，一般在2-4μm之间，源漏电极到有源层的孔深在1μm-1.5μm之间。狭小且深的孔在蚀刻是容易出现如下两个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括/n基板，其一侧表面依次设有阻隔层、有源层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一介电层、第三绝缘层及第二介电层；/n第一凹槽，依次贯穿所述第二介电层、所述第三绝缘层、所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述有源层以及部分的所述阻隔层，所述第一凹槽的底面位于所述阻隔层的内部；以及/n第一源漏电极，设于所述第二介电层远离所述第三绝缘层的一侧表面，且覆盖所述第一凹槽的内侧壁和底面，所述第一源漏电极连接至所述有源层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括
基板，其一侧表面依次设有阻隔层、有源层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一介电层、第三绝缘层及第二介电层；
第一凹槽，依次贯穿所述第二介电层、所述第三绝缘层、所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述有源层以及部分的所述阻隔层，所述第一凹槽的底面位于所述阻隔层的内部；以及
第一源漏电极，设于所述第二介电层远离所述第三绝缘层的一侧表面，且覆盖所述第一凹槽的内侧壁和底面，所述第一源漏电极连接至所述有源层。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括
第一栅极，设于所述第一绝缘层远离所述阻隔层的一侧表面；所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极；
第二栅极，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧表面；所述第一介电层覆盖所述第二栅极；以及
钝化层，设于所述第二介电层远离所述第三绝缘层的一侧表面，且覆盖所述第一源漏电极，并填充所述第一凹槽。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括
第二凹槽，依次贯穿所述钝化层、所述第二介电层、所述第三绝缘层、所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述阻隔层以及部分所述基板；以及
第一平坦层，设于所述钝化层远离所述第二介电层的一侧表面，且填充所述第二凹槽。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述基板包括
第一柔性层；
第一缓冲层，设于所述第一柔性层的一侧表面；
第二柔性层，设有所述第一缓冲层远离所述第一柔性层的一侧表面；以及
第二缓冲层，设于所述第二柔性层远离所述第一缓冲层的一侧表面；
其中，所述第二凹槽的底面与所述第二柔性层远离所述第一柔性层的一侧表面平齐。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一凹槽包括
第一通孔，贯穿所述第二介电层和所述第三绝缘层；
第一倒梯形凹槽，其贯穿所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述有源层以及部分的所述阻隔层；
其中，所述第一倒梯形凹槽与所述第一通孔相对设置，且所述第一倒梯形凹槽的槽口的宽度小于所述第一通孔的孔径。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵慧慧，朴宇成，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42