一种阵列基板、其制备方法及显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板、其制备方法及显示面板，由于信号连接线与薄膜晶体管的有源层采用同层设置，一方面使得与薄膜晶体管的源电极和漏电极同层设置的连接电极仅需要通过贯穿层间介质层的过孔就可以与信号连接线连接，从而降低过孔深度，使得形成过孔时所需要的刻蚀工艺的难度降低。另一方面，信号连接线可以用作过孔的刻蚀阻挡层，避免形成过孔时发生过刻蚀或者少刻蚀的问题，进而改善连接电极与信号连接线的搭接问题，提升产品良率。

An array substrate, a preparation method thereof and a display panel thereof

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、其制备方法及显示面板
本专利技术涉及显示
，尤指一种阵列基板、其制备方法及显示面板。
技术介绍
目前有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode，AMOLED)显示产品正向着高清、大尺寸和高刷新频率发展。这就对AMOLED驱动电路的薄膜场效应晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)有了更高的要求。目前用于AMOLED驱动电路的TFT结构主要有蚀阻挡层结构、顶栅结构和背沟道刻蚀结构。其中顶栅结构由于能够有效的降低寄生电容，刷新频率更好，沟道更短，尺寸更小，更能满足AMOLED发展的需要，故顶栅结构是未来研发的一个重点方向。在现有的AMOLED驱动电路中，如图1所示，TFT需要通过信号连接线5与数据线连接，TFT的源电极9或漏电极10通过连接电极11与信号连接线5搭接，其中，信号连接线5与TFT的屏蔽层2同层设置，连接电极11、TFT的源电极9和漏电极10同层设置，连接电极11通过贯穿层间介质层8和缓冲层3的过孔与信号连接线5电连接。在制备时，由于过孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的薄膜晶体管、连接电极和信号连接线，其中：/n所述薄膜晶体管包括依次位于所述衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅电极、层间介质层以及同层设置的源电极和漏电极；/n所述信号连接线与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，所述连接电极与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层设置，所述连接电极与所述信号连接线通过贯穿所述层间介质层的过孔电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的薄膜晶体管、连接电极和信号连接线，其中：
所述薄膜晶体管包括依次位于所述衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅电极、层间介质层以及同层设置的源电极和漏电极；
所述信号连接线与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，所述连接电极与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层设置，所述连接电极与所述信号连接线通过贯穿所述层间介质层的过孔电连接。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号连接线的材质由半导体材料经导体化后形成，且所述半导体材料与所述薄膜晶体管的有源层的材质相同。


3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述信号连接线的材质为透明导电氧化物材质。


4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
位于所述衬底基板与所述有源层之间的屏蔽层；
位于所述屏蔽层与所述有源层之间的缓冲层。


5.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的阵列基板。


6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成有源层的图形和信号连接线的图形；
在所述有源层的图形的上方形成栅绝缘层的图形和栅电极的图形，并对所述有源层的源电极接触区域、漏电极接触区域和所述信号连接线进行导体化处理；
形成覆盖所述栅电极和所述信号连接线的层间介质层；
通过一次构图工艺在所述层间介质层中形成多个贯穿所述层间介质层的过孔；
在所述层间介质层上形成源电极的图形、漏电极的图形以及连接电极的图形；其中，所述源电...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋威，赵策，崔容豪，苏同上，王明，刘宁，刘军，倪柳松，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34