【技术实现步骤摘要】
一种芯片互连方法
本申请涉及半导体
，特别是涉及一种芯片互连方法。
技术介绍
随着电子产品的更新换代，愈发要求电子产品的功能更多元化而体积更精小化，因此对于能够实现不同功能的芯片的堆叠方式需要尽可能压缩其堆叠后的体积。现有技术中，在3D堆叠时，通常采用硅通孔技术(TSV，ThroughSiliconVia)在堆叠后的多个芯片上打一个贯穿的通孔，在通孔内填充导电材料以使多个芯片之间以及基板实现互连；或者，采用交错层叠的方式，将多个芯片正面的焊盘露出，进而通过打线的方式使多个芯片之间以及封装基板实现互连。但是，硅通孔技术的对于工艺的精度要求极高，且会降低芯片的良品率，减小芯片的强度，而交错层叠再打线的方式，芯片交错层叠后所占的体积较大，并且打线连接存在不牢固的问题，因此需要一种新的芯片互连方法。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片互连方法，能够减小多个芯片堆叠后所占用的空间，提高半导体封装器件的集成度和可靠性。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案...
【技术保护点】
1.一种芯片互连方法，其特征在于，包括：/n利用可弯折的电连接件将从第一封装体的侧面外露的第一电连接结构与邻近的第一芯片的功能面上的部分焊盘电连接，其中，所述第一封装体包括主芯片和所述第一电连接结构，且所述主芯片的功能面与所述第一芯片的功能面同侧设置，所述第一电连接结构与所述主芯片的功能面上的焊盘电连接，所述第一电连接结构具有从所述第一封装体的侧面外露的部分；/n弯折所述电连接件以使得所述第一芯片的非功能面与所述主芯片的非功能面相对并固定设置；/n在所述第一芯片的功能面上形成第二电连接结构，并将所述第二电连接结构与封装基板电连接，其中，所述第二电连接结构与所述第一芯片的其余部分焊盘电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种芯片互连方法，其特征在于，包括：
利用可弯折的电连接件将从第一封装体的侧面外露的第一电连接结构与邻近的第一芯片的功能面上的部分焊盘电连接，其中，所述第一封装体包括主芯片和所述第一电连接结构，且所述主芯片的功能面与所述第一芯片的功能面同侧设置，所述第一电连接结构与所述主芯片的功能面上的焊盘电连接，所述第一电连接结构具有从所述第一封装体的侧面外露的部分；
弯折所述电连接件以使得所述第一芯片的非功能面与所述主芯片的非功能面相对并固定设置；
在所述第一芯片的功能面上形成第二电连接结构，并将所述第二电连接结构与封装基板电连接，其中，所述第二电连接结构与所述第一芯片的其余部分焊盘电连接。
2.根据权利要求1所述的芯片互连方法，其特征在于，
所述电连接件为柔性的导电基带，所述导电基带的第一表面设置有外露的导电部，所述导电部与所述从所述第一封装体的侧面外露的所述第一电连接结构以及所述第一芯片的所述部分焊盘电连接。
3.根据权利要求1或者2所述的芯片互连方法，其特征在于，所述弯折所述电连接件以使得所述第一芯片的非功能面与所述主芯片的非功能面相对并固定设置的步骤之前，还包括：
在所述第一芯片的非功能面以及所述主芯片的非功能面所在的所述第一封装体的一侧表面涂覆非导电胶。
4.根据权利要求1所述的芯片互连方法，其特征在于，所述在所述第一芯片的功能面上形成第二电连接结构的步骤包括：
在所述第一芯片的功能面上形成图案化的光阻涂层，所述光阻涂层对应于所述第一芯片的所述其余部分焊盘设置有第一通孔；
在所述第一通孔内形成第一导电柱，所述第一导电柱与所述第一芯片的所述其余部分焊盘电连接，所述第二电连接结构包括所述第一导电柱；
去除所述光阻涂层。
5.根据权利要求4所述的芯片互连方法，其特征在于，所述将所述第二电连接结构与封装基板电连接的步骤之后，还包括：
在所述第一芯片和所述封装基板之间形成第一底填胶，所述第一底填胶包裹所述第一导电柱和所述电连接件的所述另一端。
6.根据权利要求1所述的芯片互连方法，其特征在于，所述在所述第一芯片的功能面上形成第二电连接结构的步骤包括：
在所述第一芯片的功能面上形成图案化的第一钝化层，所述第一钝化层对应所述第一芯片的所述其余部分焊盘设置有第二通孔；
在所述第一钝化层远离所述第一芯片的一侧表面以及所述第二通孔内依次形成第一溅射金属层和第一再布线层，所述第一溅射金属层和所述第一再布线层与所述第一芯片的所述其余部分焊盘电连接，所述第二电连接结构包括所述第一溅射金属层和所述第一再布线层。
7.根据权利要求1所述的芯片互连方法，其特征在于，所述在所述第一芯片的功能面上形成第二电连接结构的步骤之前，包括：
在所述第一封装体设...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴品忠，缪小勇，
申请(专利权)人：南通通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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