【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着集成电路制造技术的不断发展，人们对集成电路的集成度和性能的要求变得越来越高。为了提高集成度，降低成本，元器件的关键尺寸不断变小，集成电路内部的电路密度越来越大，这种发展使得晶圆表面无法提供足够的面积来制作所需要的互连线。为了满足关键尺寸缩小过后的互连线所需，目前不同金属层或者金属层与基底的导通是通过互连结构实现的。互连结构包括互连线和形成于接触开口内的接触孔插塞。接触孔插塞与半导体器件相连接，互连线实现接触孔插塞之间的连接，从而构成电路。晶体管结构内的接触孔插塞包括位于栅极结构表面的栅极接触孔插塞，用于实现栅极结构与外部电路的连接，还包括位于源漏掺杂层表面的源漏接触孔插塞，用于实现源漏掺杂层与外部电路的连接。目前，为实现晶体管面积的进一步缩小，引入了有源栅极接触孔插塞(ContactOverActiveGate，COAG)工艺。与传统的栅极接触孔插塞位于隔离区域的栅极结构上方相比，COAG工...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，所述栅极结构露出的基底上形成有初始介质层，所述初始介质层覆盖所述栅极结构顶部，所述源漏掺杂层顶部的初始介质层内形成有源漏接触孔插塞，所述源漏接触孔插塞与所述源漏掺杂层电连接；/n去除部分厚度的所述初始介质层，形成介质层，露出所述源漏接触孔插塞的部分侧壁；/n至少在所述介质层所露出的源漏接触孔插塞的侧壁上形成刻蚀停止层；/n以相邻所述源漏接触孔插塞侧壁上的刻蚀停止层为侧向刻蚀停止位置，刻蚀所述栅极结构顶部的介质层，形成露出所述栅极结构顶部的栅极接触...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，所述栅极结构露出的基底上形成有初始介质层，所述初始介质层覆盖所述栅极结构顶部，所述源漏掺杂层顶部的初始介质层内形成有源漏接触孔插塞，所述源漏接触孔插塞与所述源漏掺杂层电连接；
去除部分厚度的所述初始介质层，形成介质层，露出所述源漏接触孔插塞的部分侧壁；
至少在所述介质层所露出的源漏接触孔插塞的侧壁上形成刻蚀停止层；
以相邻所述源漏接触孔插塞侧壁上的刻蚀停止层为侧向刻蚀停止位置，刻蚀所述栅极结构顶部的介质层，形成露出所述栅极结构顶部的栅极接触孔；
在所述栅极接触孔内形成栅极接触孔插塞，所述栅极接触孔插塞与所述栅极结构电连接。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的步骤中，所述刻蚀停止层保形覆盖所述介质层所露出的源漏接触孔插塞的顶部和侧壁、以及所述介质层的顶部。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极接触孔插塞的步骤包括：形成填充所述栅极接触孔的导电材料层，所述导电材料层还覆盖所述源漏接触孔插塞和介质层顶部的刻蚀停止层；以所述介质层顶部的刻蚀停止层顶面为停止位置，对所述导电材料层进行第一平坦化处理。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极接触孔插塞的步骤还包括：进行所述第一平坦化处理后，以所述介质层顶面为停止位置，对所述导电材料层和刻蚀停止层进行第二平坦化处理。
5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺进行所述第一平坦化处理。
6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺进行所述第二平坦化处理。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤中，所述介质层顶部至所述源漏接触孔插塞顶部的距离为50埃米至300埃米。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的步骤中，所述刻蚀停止层的厚度为50埃米至300埃米。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极接触孔的步骤包括：形成覆盖所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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