半导体结构和形成半导体结构的方法技术

形成半导体结构的方法包括接收具有衬底、位于衬底上方的导电部件以及位于导电部件上方的介电层的结构。该方法还包括在介电层中形成孔以暴露导电部件；在孔的侧壁上形成第一含金属层；并且在孔中形成由第一含金属层围绕的第二含金属层。第一含金属层和第二含金属层包括不同的材料。该方法还包括施加第一化学物质以使介电层凹进，从而使得第一和第二含金属层的顶部突出在介电层之上；并且将具有氟或氯的第二化学物质施加到第一含金属层的顶部，以将第一含金属层的顶部转化为金属氟化物或金属氯化物。本发明专利技术的实施例还涉及半导体结构。

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构和形成半导体结构的方法
本专利技术的实施例涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了指数型增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，每一代都比上一代具有更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供收益。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性。例如，当在IC中形成互连结构(包括接触件、通孔、引线等)时，金属元素可能会从其预期位置扩散和/或迁移。这可能由于对金属层实施的蚀刻工艺、化学机械平坦化(CMP)工艺或其它工艺而发生。那些扩散的金属元素可能导致紧密放置的导电部件之间发生短路，诸如在源极/漏极接触件和附近的栅极接触件之间或两条相邻的金属线之间。需要能够消除那些金属扩散的方法。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：接收具有衬底、位于所述衬底上方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：/n接收具有衬底、位于所述衬底上方的导电部件以及位于所述导电部件和所述衬底上方的介电层的结构；/n在所述介电层中形成孔，所述孔暴露所述导电部件；/n在所述孔的至少侧壁上形成第一含金属层；/n在所述孔中形成由所述第一含金属层围绕的第二含金属层，其中，所述第一含金属层和所述第二含金属层包括不同的材料；/n施加第一化学物质以使所述介电层凹进，从而使得所述第一含金属层的顶部和所述第二含金属层的顶部突出在所述介电层之上；以及/n将具有氟或氯的第二化学物质施加到所述第一含金属层的所述顶部，以将所述第一含金属层的所述顶部转化为金属氟化物或金属氯化物。/n

【技术特征摘要】
20190424 US 62/837,860;20200106 US 16/735,1371.一种形成半导体结构的方法，包括：
接收具有衬底、位于所述衬底上方的导电部件以及位于所述导电部件和所述衬底上方的介电层的结构；
在所述介电层中形成孔，所述孔暴露所述导电部件；
在所述孔的至少侧壁上形成第一含金属层；
在所述孔中形成由所述第一含金属层围绕的第二含金属层，其中，所述第一含金属层和所述第二含金属层包括不同的材料；
施加第一化学物质以使所述介电层凹进，从而使得所述第一含金属层的顶部和所述第二含金属层的顶部突出在所述介电层之上；以及
将具有氟或氯的第二化学物质施加到所述第一含金属层的所述顶部，以将所述第一含金属层的所述顶部转化为金属氟化物或金属氯化物。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一化学物质包括稀释氢氟酸(HF)并且所述第二化学物质包括稀释盐酸(HCl)。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述稀释氢氟酸在去离子水中的HF浓度为约0.1％或更低，并且所述稀释盐酸在去离子水中的HCl浓度为约1％或更高。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一含金属层包括过渡金属、过渡金属氮化物或它们的组合。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述过渡金属或过渡金属氮化物包括Ti、Co、Ni、Nb、Ru、Rh、W和Re中的一种。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二含金属层包括：在所述介电层上方沉积所述第二含金属层，还包括：
将化学机械平坦化(CMP)工艺应用于所述第二含金属层以暴露所述介电层。

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【专利技术属性】
技术研发人员：萧茹雄，蔡俊雄，万幸仁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71